3 月 20 日消息,本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上,首席执行官表示:“不仅生产难度高,而且成本非常高,我们在 HBM 上可谓是一掷千金”。
本文引用地址:将 HBM 称为“技术奇迹”(technological miracle),相比较传统 DRAM,不仅可以提高数据中心的性能,功耗方面明显更低。
在本次吹风会之前,网络上有不少消息称会从采购 HBM3 或 HBM3E 等内存,而在本次吹风会上,正面表示:“是一家非常非常优秀的公司”(Samsung is a very, very good company.)。
黄仁勋表示目前已经开始验证的 芯片,并考虑在未来下单采购。
黄仁勋在本次吹风会中,强调了 SK 海力士的重要性,是满足现代 的主要供应商。
IT之家注:目前 AI 加速卡除了 CoWoS 封装瓶颈之外,另一个重要限制就是 HBM,这其中的主要原因是 HBM 生产周期较 DDR5 更长,投片到产出、封装完成需要至少 2 个季度。
英伟达目前主流 H100 加速卡采用 HBM3 内存,主要供应商为 SK 海力士,目前无法满足整体 AI 市场需求。集邦咨询表示三星于 2023 年年末,以 1Znm 产品加入英伟达供应链,尽管比重仍小,但可视为三星在 HBM 领域的重大突破。
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