近期媒体报道,新创晶圆代工厂Raapidus董事长东哲郎在SEMICON Japan 2023演讲时表示,相信日本能够在超先进晶圆制造技术竞赛上,迎头赶上领先者台积电与英特尔等,从此缩短多达20年的落后差距。
东哲郎表示,Rapidus 北海道建厂计划一定会成功,并且大约在 2027~2028 年期间,相关制程技术将发生改变。因为,新兴的晶体管架构GAA(全环绕栅极排列)将取代目前主流的FinFET架构,推动半导体制造的进步,可以生产2纳米及以下先进制程的芯片。
东哲郎强调,半导体市场正朝着具有特定功能的产品,而不是以通用型芯片的方向来发展,Rapidus希望能够在这个过渡期抢进市场当中,并能够得到日本半导体设备和化学品相关公司的全力支持。
当前,日本正在向 Rapidus 提供数千亿日圆的资金援助,以使得能在日本北海道千岁市设立先进制程晶圆厂。该晶圆厂预计研发及生产2纳米及其以下先进制程,预计最快将在2025年建立第一条原型产线。同时该公司也与IBM、ASML等开展深度合作,Rapidus也已经派遣100名工程师到IBM学习2纳米芯片生产全环栅(GAA)电晶体技术。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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