近期媒体报道，新创晶圆代工厂Raapidus董事长东哲郎在SEMICON Japan 2023演讲时表示，相信日本能够在超先进晶圆制造技术竞赛上，迎头赶上领先者台积电与英特尔等，从此缩短多达20年的落后差距。

东哲郎表示，Rapidus 北海道建厂计划一定会成功，并且大约在 2027~2028 年期间，相关制程技术将发生改变。因为，新兴的晶体管架构GAA（全环绕栅极排列）将取代目前主流的FinFET架构，推动半导体制造的进步，可以生产2纳米及以下先进制程的芯片。

东哲郎强调，半导体市场正朝着具有特定功能的产品，而不是以通用型芯片的方向来发展，Rapidus希望能够在这个过渡期抢进市场当中，并能够得到日本半导体设备和化学品相关公司的全力支持。

当前，日本正在向 Rapidus 提供数千亿日圆的资金援助，以使得能在日本北海道千岁市设立先进制程晶圆厂。该晶圆厂预计研发及生产2纳米及其以下先进制程，预计最快将在2025年建立第一条原型产线。同时该公司也与IBM、ASML等开展深度合作，Rapidus也已经派遣100名工程师到IBM学习2纳米芯片生产全环栅（GAA）电晶体技术。

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