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研发客服据韩媒报道，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的半导体芯片工厂计划于2026年开始大规模芯片生产，目标是与台积电展开竞争。该工厂将生产2纳米和3纳米工艺芯片，计划在2026年初引入所有必要设备，并在年底前启动量产。
三星将在2纳米和3纳米的芯片生产中采用环绕栅极（GAA）技术，而台积电将在其3纳米制程节点采用极紫外光刻（EUV）技术，在2纳米制程采用环绕栅极技术。
根据三星电子的声明，该公司在泰勒市的投资项目是其全球半导体制造战略的重要组成部分，工厂的建设和运营预计将创造大量的就业机会，并为当地经济发展注入新的活力。此外，该工厂还将采用最先进的技术和设备，以确保生产出高质量的芯片产品。
三星曾提出“2030愿景”计划，目标是到2030年成为全球半导体芯片领域的领军者。三星在美国得州建半导体厂并计划2026年大规模生产芯片这一举措，将进一步推动半导体行业的技术进步和市场格局的变化。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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