【成电协 · 会员行】纳能微——人才是国产IP核研发的核心和基石

发布时间:2022-08-19  

众所周知,半导体 IP 是指集成电路设计中预先设计、经过重复验证的、可重复使用的功能模块。半导体 IP 服务于芯片设计,因部分通用功能模块在芯片中被反复使用,半导体 IP 即为此类预先设计好的功能模块,从而在芯片设计中结合使用 EDA 软件与半导体 IP 来缩短芯片设计周期、降低开发成本。IP 由于性能高、功耗优、成本适中、技术密集度高、知识产 权集中、商业价值昂贵,是集成电路设计产业的核心产业要素和竞争力体现。

“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的,正是一家专注先进工艺半导体IP(硅知识产权)研发的优秀会员企业——成都纳能微电子有限公司。

众所周知,半导体 IP 是指集成电路设计中预先设计、经过重复验证的、可重复使用的功能模块。半导体 IP 服务于芯片设计,因部分通用功能模块在芯片中被反复使用,半导体 IP 即为此类预先设计好的功能模块,从而在芯片设计中结合使用 EDA 软件与半导体 IP 来缩短芯片设计周期、降低开发成本。IP 由于性能高、功耗优、成本适中、技术密集度高、知识产 权集中、商业价值昂贵,是集成电路设计产业的核心产业要素和竞争力体现。

“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的,正是一家专注先进工艺半导体IP(硅知识产权)研发的优秀会员企业——成都纳能微电子有限公司。

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专注国产IP核创新的研发平台

纳能微电子于2014年成立,专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新,拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术,产品工艺制程已达8nm节点。纳能技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例,获批电路设计专利近30项。

8年来,纳能微电子斩获荣誉奖项颇多,包括国家高新技术企业、国家重点集成电路设计企业、四川省瞪羚企业、四川省雁阵培育企业、成都市新经济培育企业、成都市中小企业成长工程培育企业、成都高新区瞪羚企业,全国硬科技企业之星。荣获2021年度全国电子学会科技进步奖二等奖、2021年度四川省科技进步奖三等奖、2020年度四川专利奖创新创业奖。

人才是公司研发的核心和基石

在问及公司何以长久保持如此生命力时,纳能微电子CEO武国胜告诉协会:“当然是人才,我们认为人才是国产IP核研发的核心和基石,目前为止公司核心骨干还没有空降兵,全都是公司发展8年一步步培养出来的核心人才”。

面对人才紧缺的问题,武总显然也深有体会:“是的,我们也面临中层骨干人才缺乏的问题,一定程度上制约了公司业务的发展,虽然一直在对外招聘,但是一直找不到合适的人才。不过我们一向重视基础人才的培养,希望能通过企业内人才迭代缓解这个问题。”

近些年国家在半导体产业政策上的持续发力,加之培训机构的涌现,拓宽了半导体基础人才的筛选面,“我们不会刻意招聘名校毕业生。”武总认为,“只要初级技术人才的基础知识扎实牢固,愿意在技术方向勤加钻研,公司都愿意分配高级工程师加以培养”。协会看到纳能微电子工作的技术人才确有非名校毕业生,也谈到其基础人才流失率一直保持在低位,纳能微电子在人才管理和激励机制上确实有一套行之有效的办法,武总同样也欢迎更多的人才能够加入纳能微。

半导体人才短缺之痛

近年来,在市场需求和行业趋势的推动下,各企业陆续加大研发投入,半导体行业热度高涨,进入“野蛮生长”阶段。然而,快速的扩张也暴露出其中的问题和隐患。对于几年前还是冷门产业的半导体而言,从前专业人才少、培养单位少、培养周期长使得相关人才储备远远不够,导致目前半导体人才增长速度并没有追上市场扩张速度,人才短缺问题加剧。

现今,半导体行业“抢人”氛围充斥,企业招人困难。对于企业而言,专业人才缺口问题已然成为迫在眉睫需要解决的问题。相关专家随之提出:解决人才缺口问题,校企双方都应做出调整。对于企业来说,应该在早期就参与到人才培养的过程中,通过与学校联合共建实验室联合培养、采取委托项目形式培养人才等方式共同培养高质量的半导体人才。

对于同样面临着“人才短缺”这一艰巨挑战的纳能微而言,他们则向我们展示了其所迈出的坚定的一步:通过与电子科技大学示范性微电子学院签署的《工程实践教育基地协议书》,纳能微成为其产学合作协同育人联盟成员单位,为破解企业引才难题,补齐行业人才紧缺短板奠定了基础。武总最后讲道:“人才是第一资源,人才强则产业强,人才兴则科技兴。解决半导体人才稀缺问题,我们都应该为之而努力。”

 


关于成都纳能微电子有限公司

成都纳能微电子有限公司(以下简称:纳能微)位于四川省成都高新区,成立于2014年,是一家国内领先的主营集成电路IP核设计与定制服务的高新技术企业,专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新,拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术,产品工艺制程已达8nm节点。纳能微技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例,获批电路设计专利近30项。

专注国产IP核创新的研发平台

纳能微电子于2014年成立,专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新,拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术,产品工艺制程已达8nm节点。纳能技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例,获批电路设计专利近30项。

8年来,纳能微电子斩获荣誉奖项颇多,包括国家高新技术企业、国家重点集成电路设计企业、四川省瞪羚企业、四川省雁阵培育企业、成都市新经济培育企业、成都市中小企业成长工程培育企业、成都高新区瞪羚企业,全国硬科技企业之星。荣获2021年度全国电子学会科技进步奖二等奖、2021年度四川省科技进步奖三等奖、2020年度四川专利奖创新创业奖。

人才是公司研发的核心和基石

在问及公司何以长久保持如此生命力时,纳能微电子CEO武国胜告诉协会:“当然是人才,我们认为人才是国产IP核研发的核心和基石,目前为止公司核心骨干还没有空降兵,全都是公司发展8年一步步培养出来的核心人才”。

面对人才紧缺的问题,武总显然也深有体会:“是的,我们也面临中层骨干人才缺乏的问题,一定程度上制约了公司业务的发展,虽然一直在对外招聘,但是一直找不到合适的人才。不过我们一向重视基础人才的培养,希望能通过企业内人才迭代缓解这个问题。”

近些年国家在半导体产业政策上的持续发力,加之培训机构的涌现,拓宽了半导体基础人才的筛选面,“我们不会刻意招聘名校毕业生。”武总认为,“只要初级技术人才的基础知识扎实牢固,愿意在技术方向勤加钻研,公司都愿意分配高级工程师加以培养”。协会看到纳能微电子工作的技术人才确有非名校毕业生,也谈到其基础人才流失率一直保持在低位,纳能微电子在人才管理和激励机制上确实有一套行之有效的办法,武总同样也欢迎更多的人才能够加入纳能微。

半导体人才短缺之痛

近年来,在市场需求和行业趋势的推动下,各企业陆续加大研发投入,半导体行业热度高涨,进入“野蛮生长”阶段。然而,快速的扩张也暴露出其中的问题和隐患。对于几年前还是冷门产业的半导体而言,从前专业人才少、培养单位少、培养周期长使得相关人才储备远远不够,导致目前半导体人才增长速度并没有追上市场扩张速度,人才短缺问题加剧。

现今,半导体行业“抢人”氛围充斥,企业招人困难。对于企业而言,专业人才缺口问题已然成为迫在眉睫需要解决的问题。相关专家随之提出:解决人才缺口问题,校企双方都应做出调整。对于企业来说,应该在早期就参与到人才培养的过程中,通过与学校联合共建实验室联合培养、采取委托项目形式培养人才等方式共同培养高质量的半导体人才。

对于同样面临着“人才短缺”这一艰巨挑战的纳能微而言,他们则向我们展示了其所迈出的坚定的一步:通过与电子科技大学示范性微电子学院签署的《工程实践教育基地协议书》,纳能微成为其产学合作协同育人联盟成员单位,为破解企业引才难题,补齐行业人才紧缺短板奠定了基础。武总最后讲道:“人才是第一资源,人才强则产业强,人才兴则科技兴。解决半导体人才稀缺问题,我们都应该为之而努力。”

 


关于成都纳能微电子有限公司

成都纳能微电子有限公司(以下简称:纳能微)位于四川省成都高新区,成立于2014年,是一家国内领先的主营集成电路IP核设计与定制服务的高新技术企业,专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新,拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术,产品工艺制程已达8nm节点。纳能微技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例,获批电路设计专利近30项。

文章来源于:电子工程专辑    原文链接
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