众所周知，半导体 IP 是指集成电路设计中预先设计、经过重复验证的、可重复使用的功能模块。半导体 IP 服务于芯片设计，因部分通用功能模块在芯片中被反复使用，半导体 IP 即为此类预先设计好的功能模块，从而在芯片设计中结合使用 EDA 软件与半导体 IP 来缩短芯片设计周期、降低开发成本。IP 由于性能高、功耗优、成本适中、技术密集度高、知识产 权集中、商业价值昂贵，是集成电路设计产业的核心产业要素和竞争力体现。

“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的，正是一家专注先进工艺半导体IP（硅知识产权）研发的优秀会员企业——成都纳能微电子有限公司。

众所周知，半导体 IP 是指集成电路设计中预先设计、经过重复验证的、可重复使用的功能模块。半导体 IP 服务于芯片设计，因部分通用功能模块在芯片中被反复使用，半导体 IP 即为此类预先设计好的功能模块，从而在芯片设计中结合使用 EDA 软件与半导体 IP 来缩短芯片设计周期、降低开发成本。IP 由于性能高、功耗优、成本适中、技术密集度高、知识产 权集中、商业价值昂贵，是集成电路设计产业的核心产业要素和竞争力体现。

“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的，正是一家专注先进工艺半导体IP（硅知识产权）研发的优秀会员企业——成都纳能微电子有限公司。

专注国产IP核创新的研发平台

纳能微电子于2014年成立，专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新，拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术，产品工艺制程已达8nm节点。纳能技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例，获批电路设计专利近30项。

8年来，纳能微电子斩获荣誉奖项颇多，包括国家高新技术企业、国家重点集成电路设计企业、四川省瞪羚企业、四川省雁阵培育企业、成都市新经济培育企业、成都市中小企业成长工程培育企业、成都高新区瞪羚企业，全国硬科技企业之星。荣获2021年度全国电子学会科技进步奖二等奖、2021年度四川省科技进步奖三等奖、2020年度四川专利奖创新创业奖。

人才是公司研发的核心和基石

在问及公司何以长久保持如此生命力时，纳能微电子CEO武国胜告诉协会：“当然是人才，我们认为人才是国产IP核研发的核心和基石，目前为止公司核心骨干还没有空降兵，全都是公司发展8年一步步培养出来的核心人才”。

面对人才紧缺的问题，武总显然也深有体会：“是的，我们也面临中层骨干人才缺乏的问题，一定程度上制约了公司业务的发展，虽然一直在对外招聘，但是一直找不到合适的人才。不过我们一向重视基础人才的培养，希望能通过企业内人才迭代缓解这个问题。”

近些年国家在半导体产业政策上的持续发力，加之培训机构的涌现，拓宽了半导体基础人才的筛选面，“我们不会刻意招聘名校毕业生。”武总认为，“只要初级技术人才的基础知识扎实牢固，愿意在技术方向勤加钻研，公司都愿意分配高级工程师加以培养”。协会看到纳能微电子工作的技术人才确有非名校毕业生，也谈到其基础人才流失率一直保持在低位，纳能微电子在人才管理和激励机制上确实有一套行之有效的办法，武总同样也欢迎更多的人才能够加入纳能微。

半导体人才短缺之痛

近年来，在市场需求和行业趋势的推动下，各企业陆续加大研发投入，半导体行业热度高涨，进入“野蛮生长”阶段。然而，快速的扩张也暴露出其中的问题和隐患。对于几年前还是冷门产业的半导体而言，从前专业人才少、培养单位少、培养周期长使得相关人才储备远远不够，导致目前半导体人才增长速度并没有追上市场扩张速度，人才短缺问题加剧。

现今，半导体行业“抢人”氛围充斥，企业招人困难。对于企业而言，专业人才缺口问题已然成为迫在眉睫需要解决的问题。相关专家随之提出：解决人才缺口问题，校企双方都应做出调整。对于企业来说，应该在早期就参与到人才培养的过程中，通过与学校联合共建实验室联合培养、采取委托项目形式培养人才等方式共同培养高质量的半导体人才。

对于同样面临着“人才短缺”这一艰巨挑战的纳能微而言，他们则向我们展示了其所迈出的坚定的一步：通过与电子科技大学示范性微电子学院签署的《工程实践教育基地协议书》，纳能微成为其产学合作协同育人联盟成员单位，为破解企业引才难题，补齐行业人才紧缺短板奠定了基础。武总最后讲道：“人才是第一资源，人才强则产业强，人才兴则科技兴。解决半导体人才稀缺问题，我们都应该为之而努力。”

关于成都纳能微电子有限公司

成都纳能微电子有限公司（以下简称：纳能微）位于四川省成都高新区，成立于2014年，是一家国内领先的主营集成电路IP核设计与定制服务的高新技术企业，专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新，拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术，产品工艺制程已达8nm节点。纳能微技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例，获批电路设计专利近30项。

专注国产IP核创新的研发平台

纳能微电子于2014年成立，专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新，拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术，产品工艺制程已达8nm节点。纳能技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例，获批电路设计专利近30项。

8年来，纳能微电子斩获荣誉奖项颇多，包括国家高新技术企业、国家重点集成电路设计企业、四川省瞪羚企业、四川省雁阵培育企业、成都市新经济培育企业、成都市中小企业成长工程培育企业、成都高新区瞪羚企业，全国硬科技企业之星。荣获2021年度全国电子学会科技进步奖二等奖、2021年度四川省科技进步奖三等奖、2020年度四川专利奖创新创业奖。

人才是公司研发的核心和基石

在问及公司何以长久保持如此生命力时，纳能微电子CEO武国胜告诉协会：“当然是人才，我们认为人才是国产IP核研发的核心和基石，目前为止公司核心骨干还没有空降兵，全都是公司发展8年一步步培养出来的核心人才”。

面对人才紧缺的问题，武总显然也深有体会：“是的，我们也面临中层骨干人才缺乏的问题，一定程度上制约了公司业务的发展，虽然一直在对外招聘，但是一直找不到合适的人才。不过我们一向重视基础人才的培养，希望能通过企业内人才迭代缓解这个问题。”

近些年国家在半导体产业政策上的持续发力，加之培训机构的涌现，拓宽了半导体基础人才的筛选面，“我们不会刻意招聘名校毕业生。”武总认为，“只要初级技术人才的基础知识扎实牢固，愿意在技术方向勤加钻研，公司都愿意分配高级工程师加以培养”。协会看到纳能微电子工作的技术人才确有非名校毕业生，也谈到其基础人才流失率一直保持在低位，纳能微电子在人才管理和激励机制上确实有一套行之有效的办法，武总同样也欢迎更多的人才能够加入纳能微。

半导体人才短缺之痛

近年来，在市场需求和行业趋势的推动下，各企业陆续加大研发投入，半导体行业热度高涨，进入“野蛮生长”阶段。然而，快速的扩张也暴露出其中的问题和隐患。对于几年前还是冷门产业的半导体而言，从前专业人才少、培养单位少、培养周期长使得相关人才储备远远不够，导致目前半导体人才增长速度并没有追上市场扩张速度，人才短缺问题加剧。

现今，半导体行业“抢人”氛围充斥，企业招人困难。对于企业而言，专业人才缺口问题已然成为迫在眉睫需要解决的问题。相关专家随之提出：解决人才缺口问题，校企双方都应做出调整。对于企业来说，应该在早期就参与到人才培养的过程中，通过与学校联合共建实验室联合培养、采取委托项目形式培养人才等方式共同培养高质量的半导体人才。

对于同样面临着“人才短缺”这一艰巨挑战的纳能微而言，他们则向我们展示了其所迈出的坚定的一步：通过与电子科技大学示范性微电子学院签署的《工程实践教育基地协议书》，纳能微成为其产学合作协同育人联盟成员单位，为破解企业引才难题，补齐行业人才紧缺短板奠定了基础。武总最后讲道：“人才是第一资源，人才强则产业强，人才兴则科技兴。解决半导体人才稀缺问题，我们都应该为之而努力。”

关于成都纳能微电子有限公司

成都纳能微电子有限公司（以下简称：纳能微）位于四川省成都高新区，成立于2014年，是一家国内领先的主营集成电路IP核设计与定制服务的高新技术企业，专注于数模混合高速SERDES IP核的自主研发和持续创新，拥有PCIE、USB3.1/USB3.0/USB2.0、JESD204B、GVI/LVDS/MIPI PHY IP及12.5G/16G高速SERDES IP核等多项核心技术，产品工艺制程已达8nm节点。纳能微技术研发团队已经完成了超过100项IP授权与服务案例，获批电路设计专利近30项。