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研发客服在我们应用开发时，经常会有一些程序运行参数需要保存，如一些修正系数。这些数据的特点是：数量少而且不需要经常修改，但又不能定义为常量，因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能。将这类数据存在指定的位置，需要修改时直接修改存储位置的数值，需要使用时则直接读取，会是一种方便的做法。考虑到这些数据量比较少，使用专门的存储单元既不经济，也没有必要，而STM32F103内部的Flash容量较大，而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数，实现起来也比较方便。
以大容量产品STM32F103ZET为例，其Flash容量达到512K，可以将其中一部分用作数据存储。如下是大容量的Flash组织模式： 
STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
1）主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
2）信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，本章不作介绍。
3）闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器（FPEC）管理；编程与擦除的高电压由内部产生。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
根据上面的Flash组织模式，我们可以根据自己的使用方便来作相应的定义。因为大容量每个扇区定义为2K，而小容量和中容量都定义为1K，所以我们做如下宏定义：
#define FLASH_SIZE 512 //所选MCU的FLASH容量大小（单位为K）
#if FLASH_SIZE《256
#define SECTOR_SIZE 1024 //字节#else
#define SECTOR_SIZE 2048 //字节#endif
虽然ST的库函数比较全面，但都是基本操作，为了使用方面，根据我们自己的需要对其进行再次封装。
对于读操作相对比较简单，内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，就像读取变量一样。
//从指定地址开始读取多个数据void FLASH_ReadMoreData（uint32_t startAddress，uint16_t *readData，uint16_t countToRead）
{
uint16_t dataIndex;
for（dataIndex=0;dataIndex《countToRead;dataIndex++）
{
readData［dataIndex］=FLASH_ReadHalfWord（startAddress+dataIndex*2）;
}
}
//读取指定地址的半字（16位数据）uint16_t FLASH_ReadHalfWord（uint32_t address）
{
return *（__IO uint16_t*）address;
}
//读取指定地址的全字（32位数据）uint32_t FLASH_ReadWord（uint32_t address）
{
uint32_t temp1，temp2;
temp1=*（__IO uint16_t*）address;
temp2=*（__IO uint16_t*）（address+2）;
return （temp2《《16）+temp1;
}
对于写操作相对来说要复杂得多，写操作包括对用户数据的写入和擦除。为了防止误操作还有写保护锁。但这些基本的操作ST的库函数已经为我们写好了，我们只需要调用即可。
STM32复位后，FPEC模块是被保护的，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。STM32闪存的编程每次必须写入16位，任何不是半字的操作都会造成错误。如下图是Flash写的过程：
STM32的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是0XFFFF），否则无法写入。Flash的擦除要求必须整页擦除，所以也必须整页写入，否则可能会丢失数据。如下图是Flash页擦除过程：
如下为Flash全擦除过程，
根据以上图示我们便写数据写入函数如下：
//从指定地址开始写入多个数据void FLASH_WriteMoreData（uint32_t startAddress，uint16_t *writeData，uint16_t countToWrite）
{
if（startAddress《FLASH_BASE||（（startAddress+countToWrite*2）》=（FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE）））
{
return;//非法地址 }
FLASH_Unlock（）; //解锁写保护
uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE; //计算去掉0X08000000后的实际偏移地址
uint32_t sectorPosition=offsetAddress/SECTOR_SIZE; //计算扇区地址，对于STM32F103VET6为0~255
uint32_t sectorStartAddress=sectorPosition*SECTOR_SIZE+FLASH_BASE; //对应扇区的首地址
FLASH_ErasePage（sectorStartAddress）;//擦除这个扇区
uint16_t dataIndex;
for（dataIndex=0;dataIndex《countToWrite;dataIndex++）
{
FLASH_ProgramHalfWord（startAddress+dataIndex*2，writeData［dataIndex］）;
}
FLASH_Lock（）;//上锁写保护
}
在擦除之前应该将页面上的数据读取出来与要写入的数据合并，待擦除后再写入，但这样数据量很大（大容量是2K一个扇区），所以考虑到是少量数据存储，所以每次都将全部数据同时写入，简化操作，也减少数据处理量。经测试以上程序写入和读出数据均正确，可以实现内部Flash的读写操作。