【导读】人工智慧（AI）芯片带动先进封装需求，市场预期AI芯片大厂英伟达（Nvidia）明年将推出新一代绘图芯片架构，加速CoWoS封装需求，台湾，韩国、美国、日本、甚至中国等半导体大厂，积极布局2.5D先进封装。

AI芯片带动先进封装需求，加速AI芯片效能，CoWoS先进封装扮演关键角色，不过CoWoS产能仍短缺，影响包括英伟达在内的大厂AI芯片出货进度。

天风国际证券分析师郭明錤预期，先进封装CoWoS供应在第4季可显著改善，有利未来生产能见度。美系外资法人表示，随着CoWoS产能扩充，英伟达AI芯片出货量看增，这也反向带动CoWoS产能需求成长。

外资评估，英伟达H100绘图芯片（GPU）模组第4季供应量可到80万至90万个，较第3季约50万个增加，预估明年第1季供应量可到100万个，主要是CoWoS产能持续提升。

至于CoWoS产能配置，外资法人评估，英伟达可从台积电取得5000至6000片CoWoS晶圆产量，也将从后段专业委外封测代工（OSAT）厂取得2000至3000片CoWoS产量。

市场预期，英伟达明年将推出新一代B100绘图芯片架构，外资和本土投顾评估，B100架构可能采用台积电的4奈米制程，推估采用结合2颗GPU晶粒和8颗高频宽记忆体（HBM ），因此也将带动CoWoS先进封装需求。

本土期货法人分析，CoWoS先进封装主要有3种技术架构，其中硅中介层（CoWoS-S）封装是目前主流，包括英伟达H100芯片和超微（AMD）MI300芯片均采用CoWoS-S封装，效能佳不过成本较高。

至于导入重布线层（RDL）的有机中介层（CoWoS-R）封装可降低成本，另外CoWoS-L封装在硅中介层加进主动元件LSI层提升芯片设计及封装弹性，可支援更多颗高频宽记忆体堆叠，预期明年CoWoS-R与CoWoS-L封装应用将明显增加。

台积电已卡位CoWoS先进封装3种技术架构，后段封测厂日月光半导体也布局扇出型FOCoS-Bridge（Fan-Out-Chip-on-Substrate-Bridge）封装技术，并推出跨平台整合的先进封装设计平台工具。

亚系外资和本土投顾指出，包括英特尔（Intel）、韩国三星（Samsung）、艾克尔（Amkor）、联电、中国江苏长电、通富微电等，也布局2.5D先进封装，此外，日本索尼（Sony）、力成、美国德州仪器（TI）、韩国SK海力士（SK Hynix）等也急起直追。

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