7月6日，瑞萨电子宣布与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议。瑞萨电子将交付20亿美元定金以确保Wolfspeed碳化硅裸晶圆和外延片的10年供应承诺。Wolfspeed高品质碳化硅晶圆的供应，为瑞萨电子将于2025年开始的碳化硅功率半导体规模化生产铺平道路。

根据协议，Wolfspeed自2025年向瑞萨电子供应规模化生产的150mm碳化硅裸晶圆和外延片。在Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州的JohnPalmour碳化硅制造中心（TheJohnPalmourManufacturingCenterforSiliconCarbide,The“JP”）实现全面运营之后，也将向瑞萨电子供应200mm碳化硅裸晶圆和外延片。

此外，瑞萨电子通过扩大自身制造产能，快速应对不断增长的功率半导体需求。瑞萨电子先前宣布了重新恢复甲府工厂用于生产 IGBT，并在高崎工厂建设碳化硅生产线。

瑞萨电子总裁兼CEO柴田英利表示，与Wolfspeed的晶圆供应协议，将为瑞萨电子带来一个稳定且长期的高品质碳化硅晶圆供应基础。

据介绍，瑞萨电子20亿美元定金将帮助支持Wolfspeed正在进行中的产能建设计划，包括了位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的全球最大碳化硅材料工厂JohnPalmour碳化硅制造中心（TheJohnPalmourManufacturingCenterforSiliconCarbide,The“JP”）。

这座采用领先前沿技术、投资数十亿美元的工厂，计划实现在现有Wolfspeed北卡罗来纳州达勒姆园区碳化硅制造产能基础上的10倍以上的产能提升。这座工厂将主要生产200mm碳化硅晶圆。200mm碳化硅晶圆比150mm碳化硅晶圆大1.7倍，这也就意味着每片晶圆可以制成更多数量的芯片，从而最终降低器件成本。

瑞萨电子表示，相比于传统硅基功率半导体，碳化硅器件可以实现更高能源效率、更高功率密度和更低系统成本。在日益注重能源的当今世界，碳化硅在电动汽车（EV）、可再生能源与储能、充电基础设施、工业电源、牵引与变速驱动等众多高体量应用中的采用正在变得更为广泛。

据TrendForce集邦咨询研究统计，SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。

TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车产值可达39.8亿美元、CAGR约38%；再生能源达4.1亿美元、CAGR约19%。

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