【导读】随着存储半导体增长周期的正式开始，似乎只有三星电子、SK海力士和美光三大DRAM公司可以笑到最后，但这种预期可能会受到冲击。市场普遍认为三星和SK海力士今年将恢复创纪录的25万亿~30万亿韩元（当前约1315.84亿~1579.01亿元人民币）营业利润，但美光由于在高带宽存储器（HBM）上的DRAM产能（CAPA）投入不足，预计其利润将仅为5万亿韩元（当前约263.17亿元人民币）左右。

随着存储半导体增长周期的正式开始，似乎只有三星电子、SK海力士和美光三大DRAM公司可以笑到最后，但这种预期可能会受到冲击。市场普遍认为三星和SK海力士今年将恢复创纪录的25万亿~30万亿韩元（当前约1315.84亿~1579.01亿元人民币）营业利润，但美光由于在高带宽存储器（HBM）上的DRAM产能（CAPA）投入不足，预计其利润将仅为5万亿韩元（当前约263.17亿元人民币）左右。

据半导体行业和证券行业6月消息称，随着今年存储半导体超级周期的开始，DRAM前两大公司三星和SK海力士预计将扩大与第三大公司美光科技的利润差距。

今年三星电子和SK海力士预计将大幅增加营业利润，享受即将到来的“存储之春”。证券行业预计三星电子DS部门的营业利润规模将达到25万亿~27万亿韩元，甚至有可能接近30万亿韩元。

三星DS部门在第一季度获得了接近2万亿韩元的利润，预计第二季度也将记录6万亿~7万亿韩元的利润。随着下半年通用存储价格的全面回升，预计将进一步扩大利润。

DS Investment & Securities研究员Su-rim Lee在最近的报告中分析称：“考虑到在通用DRAM和NAND市场中的高占有率，随着下半年的推进，存储价格的上涨将为三星带来更大的利润改善效果。”

市场研究机构TrendForce预测，今年第三季度DRAM的平均销售价格（ASP）将上涨8%~13%，NAND将上涨5%~10%。

SK海力士也预计将以历史最佳业绩震惊市场。去年SK海力士出现了超过77万亿韩元的亏损，但今年预计全年将实现超过21万亿韩元的营业利润，证券行业的普遍看法是，其利润规模可能会增加到25万亿韩元。如果这一数字实现，将超过2018年存储半导体超级周期时的20.84万亿韩元的利润。

SK海力士今年的出色表现预计将由HBM推动。SK海力士是三家公司中最早决定向其最大客户英伟达供应HBM3E并开始量产的公司，预计从下半年开始，HBM3E的表现将反映在业绩中，填补今年大幅增长的营业利润的相当一部分。

报道称，尽管存储市场状况有所好转，但预计唯一无法享受繁荣的将是美光科技。采用与三星和SK海力士不同的会计标准和年度时，美光科技在GAAP标准会计年度的第二季度（2023年12月至2024年2月）和第三季度（2024年3月至5月）虽然记录了与去年同期相比大幅增长的利润，但与竞争对手相比仍显得微不足道。

如果按照与三星和SK海力士相同的会计年度标准来看，证券行业预计美光科技今年将记录5万亿~6万亿韩元的营业利润。与去年约7万亿韩元的营业亏损相比，这几乎是两倍的增长，但同时，今年的收益可能也难以弥补去年的亏损。

据悉，尽管美光科技在HBM上表现出极大的热情，并积极推动业务，但这种策略反而对业绩产生了不利影响。美光科技与三星和SK海力士相比，生产能力不足，优先安排HBM生产线，导致通用产品的生产能力急剧下降，进一步投资也变得困难，形成恶性循环。

报道称，如果今年存储三巨头的营业利润差距扩大到20万亿韩元（当前约1052.67亿元人民币）以上，那么明年及以后在存储超级繁荣期，更大的差距将不可避免，甚至美光科技的生存也可能岌岌可危。

预计三星和SK海力士将把今年获得的大部分利润重新投入到生产能力扩展和设备投资中。随着人工智能（AI）需求的激增与通用存储器需求的增加，优先生产的HBM和其它产品的生产线也正出现供应不足的情况，因此为了应对明年更爆炸性的增长需求，今年的投资不仅是必需的，而且关系到生存本身。

然而，在这一过程中，资金实力不足的美光科技陷入了危机。美光科技目前正在美国爱达荷州建设下一代HBM研发中心和生产工厂，并考虑在马来西亚建立HBM生产工厂，但这些计划能否实际实施还是一个问号。

不过，仍存在美国政府将扮演美光科技坚强后盾的希望。根据美国政府已经宣布的《芯片法案》，美光科技将获得61亿美元的补助金。这是继英特尔、台积电、三星电子之后的第四大激励金额。

推荐阅读：