【导读】据The Korea Economic Daily报道，业内人士透露，三星电子公司将于年内推出高带宽内存 (HBM) 三维 (3D) 封装服务，该技术预计将出现在2025年推出的HBM4中。

据The Korea Economic Daily报道，业内人士透露，三星电子公司将于年内推出高带宽内存 (HBM) 三维 (3D) 封装服务，该技术预计将出现在2025年推出的HBM4中。

三星公布了其最新的芯片封装技术和服务路线图。这是三星首次在公开活动中发布HBM芯片的3D封装技术。目前HBM芯片主要采用2.5D技术封装。

大约两周前，英伟达首席执行官黄仁勋在台湾的一次演讲中公布了其新一代人工智能平台Rubin架构。HBM4可能会嵌入英伟达的新Rubin GPU模型中，该模型预计将于2026年上市。

三星最新的封装技术将HBM芯片垂直堆叠在GPU之上，以进一步加速数据学习和推理处理，这项技术被视为快速增长的人工智能芯片市场的游戏规则改变者。

目前，HBM芯片与GPU在2.5D封装技术下的硅中介层上水平连接。相比之下，3D 封装不需要硅中介层，硅中介层是位于芯片之间以促进芯片通信和协同工作的薄基板。三星将其新封装技术称为SAINT-D，是三星高级互连技术的缩写。

2027年，三星计划推出一体化异构集成技术，该技术将可大幅提高半导体数据传输速度的光学元件整合到一个统一的AI加速器中。

MGI Research预测，包括3D封装在内的先进封装市场到2032年将增长至800亿美元，而2023年达到了345亿美元。

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