01 问题的描述

某客户使用 芯片从 模式下唤醒，想要 的数据在退出 模式后得以保持。根据手册的描述，配置了相应的比特位，但是发现数据仍然保持不了。

02 问题的复现

根据客户的描述，以及 的最新版参考手册 RM0444 发现，在 模式下，可以通过设置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 的保持能力，相应的 API 接口函数为HAL_PWREx_EnableRetention()、HAL_PWREx_DisableSRAMRetention() ;

基于例程

......STM32CubeRepositorySTM32Cube_FW_G0_V1.6.1ProjectsNUCLEOG071RBExamplesPWRPWR_STANDBYEWARM 

以及相应的 NUCLEO-G071 开发板，修改部分代码，根据 LED4 的闪烁频率去判断从 Standby 模式退出后，SARM 里面的数据是否能够保持住。

03 问题的排查

基于上述的配置，简单的测试了一下，发现即使 HAL_PWREx_EnableSRAMRetention() 使能了，但是测试代码中的 sram_magic_word 的值没有保持住，显示的是 LED4 的闪烁频率为1s。

究竟是什么原因导致了数据没有保持住呢，再次查看参考手册，确定了只要使能 PWR_CR3的 RRS 比特位即能保持住，对比了 PWR_CR3 的 RRS 比特位的说明，在 standby 模式下，SRAM 的数据可以保持，但是当退出 standby 模式呢？

由于测试的是从 standby 模式退出，standby 模式退出后会进行 reset，该复位导致了 SRAM的数据被覆盖或丢失？通过查阅资料，发现是编译器的配置导致的。以 IAR 为例，查看其默认的脚本文件 icf；

也就是说，在程序执行的时候，会将 readwrite 的数据进行自动的初始化，而具有.noint 性质的块则不初始化，所以这儿还需要将 SRAM 里面要保持的数据放置在.noinit 的 section 中。

04 问题的解决

知道原因之后，相应的措施也就明朗了，修改 icf 文件如下：

并将想要保持的 SRAM 中的数据前面加关键字__no_init :

再次下载程序，发现 LED4 的闪烁频率跟随 RRS 比特位值的不同而不同，符合预期。另外在实现的过程中，需要说明两点的是： 

1、修改 icf 后，可以通过 map 文件查看，应如下文所示，如果发现“P2”mismatch 之类的提示，检查下该 section 中的变量，如上面提到的 sram_magic_word，可能被编译器优化了，在map 中也搜索不到该名称，则可以在实际的代码中使用该变量进行一些运算或判断，然后重新编译即可解决。

2、当调试器连着 IAR 调试界面运行的时候，无论 RRS 的值设置为 0 或 1，G071 从standby 模式下退出后，SRAM 中的内容均可以保持，如果需要验证 RRS 的值的影响，则建议断开调试器，让程序 free-running ,可以通过比如 LED 的闪烁频率去判断结果。