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研发客服本项目使用到的硬件有：
✔ 铁氧体磁铁：规格为外径100mm,内径60mm,高15mm
✔ 线圈：PCB可兼容两种线圈规格：
大线径直径21mm，高22mm，内径9mm，直接电阻约为3.2欧姆，3mm螺纹孔
小线径直径19mm，高12mm，内径8mm，直流电阻约为4.2欧姆，3mm螺纹孔
✔ 浮子必须使用强磁钕铁硼：
大线径测试中使用了两块，D40*H5mm + D30*H5mm
小线径测试中使用了三块，D50*H5mm + D40*H5mm + D30*H5mm
✔D40*H5mm：直径40 高5mm
磁悬浮原理：磁铁悬浮向上的浮力主要是铁氧体磁铁提供的，中间4个线圈通电后产生磁场可以控制浮子的位置，令浮子处于一个中心。
PCB控制板的原理图：
主控板核心是STM32F103，电路中包含H桥电路、霍尔采集与放大电路、电源管理电路。
以下马同学在制作过程中的问题记录，都已经解决了。放在这里希望可以帮到大家：
1. 单片机在控制线圈时重启
问题详细描述：线圈大小为 （直径 ）21*（高度）22mm 500匝 0.45mm漆包线，供电为适配器 12V2A，电路为双H桥，用来切换正负级，并改变占空比，在切换占空比时经常导致单片机重启，现象为单片机所接的OLED屏幕初始化并重新开始工作。
解决方案：
1）怀疑适配器供电不足，更换适配器12V 10A ，结果未解决，并且现象无改善；
2）怀疑电路问题，线圈作为感性负载，在改变极性或停止供电时会有反向电动势（来去拒留）会对电源电路造成冲击，电源电路的不稳定（纹波）通过辅助电源到达3.3V处，造成单片机重启。为各个mos管并联肖特基二极管（4148），形成释放回路。并除去5V电源，在3.3V处直接为单片机供电。结果：会起到一定作用，但并不稳定；
3）PCB原因：重新铺地，并更改地线连接方式（改的时候发现，stm32的四个地不是单点连接，【当时为了3.3V好走线，有两个地直接连接功率地，四个地之间相隔太远】），用磁珠隔离功率地，并添加泪滴，铺地后打板。结果：板子很稳定，未再次出现过重启现象（打板犹豫了很久，时间也拖了很久很久）。
2. Ir2104 有一路输出不稳定，会从12V降低，降低直到0V
单片机有输出，但是是3.3V（最初未注意），以为是自举电容的原因（因为6引脚的自举电容为高端mos管提供高于VCC的输出能力），结果查了查，是因为ir2104 不能完全高电平运行，更改单片机占空比，问题解决。
3. 上述单片机3.3V高电平问题，因为我在程序中未使用过持续高电平，后经查证发现：
if(pwm<=0)
{
__HAL_TIM_SET_COMPARE(&htim1, TIM_CHANNEL_2, 000);
__HAL_TIM_SET_COMPARE(&htim1, TIM_CHANNEL_1, pwm); //1向下
}
该段程序中，pwm 为int型，小于0为复数，而我在为ch1的pwm赋值时，直接赋值（负数，应赋值0-999之间），超出量程，出错。
4. 焊接完毕后，连续3个ir2104发烫，更换后正常，（出现在问题3的时间段中，未找到原因，不排除持续高电平会导致ir2104烧毁）。
5. 单片机PWM波引脚无输出
原因：在32cube mx 中不小心将分频系数与自动重载值设置为0，并且更新了一次，重新设置后问题解决。
6. 霍尔传感器受线圈干扰较大
问题描述：3个霍尔分别检测x、y、z轴的电磁变化，可以检测浮子（被悬浮磁铁）的位置，但是未放置磁铁，控制线圈工作时，霍尔的值改变较大。z轴尽可能平行于地面，x、y尽可能位于对角线上。
手动调整后，xy的值变化在200以内，z轴（直接放置地面后）依然较大，暂不处理。
7. 温漂问题
问题描述：霍尔传感器本身变化较小，添加了差分放大电路，基准电压由电位器提供，但3个电位器处于线圈下方，线圈工作后会发热（电阻），且温度变化快，会导致电位器温度上升，基准值变化，运放输出改变。
知识普及：好的电阻温度系数为2ppm/°C，但精密可调电阻为100ppm/°C。
解决方案：飞线，远离温度变化大的地方，下次打板子一定要注意精密可调电阻远离线圈 。
改版结果：采集数据有所好转，但依然会受温度影响，目前采取措施为：双层使用，板子分为上下两块板，分别使用，已成功实现悬浮。
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