近日，两个百亿级半导体项目即将迎来投产，长飞先进总投资超200亿元的武汉第三代半导体功率器件研发生产基地首批设备已搬入，预计明年5月量产通线；格力旗下投资近百亿元建设的全自动第三代半导体（碳化硅）芯片工厂正式建成并投入生产。

长飞先进武汉基地首批设备搬入，明年5月量产通线

据长飞先进官方消息，12月18日，长飞先进武汉基地项目首批设备正式搬入。

一般而言，厂房建设主要分为设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线四个阶段。长飞先进总裁陈重国表示，首批设备的进驻，标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战。目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。

官方资料显示，长飞先进本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。

2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉新城；7天后，该项目正式启动建设。据悉，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。今年6月，该项目主体结构全面封顶。从打下第一根桩到实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月。

格力碳化硅芯片工厂建成投产

12月17日，格力电器官方视频号发布相关视频，展示了旗下投资近百亿元建设的全自动第三代半导体（碳化硅）芯片工厂。

据悉，格力电器的碳化硅芯片工厂正式建成并投入生产；格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。

据悉，该项目自2022年12月开始打桩建设，仅用时10个月完成芯片厂房的建设和设备移入，并在388天内实现全面通线。此外，工厂关键核心工艺的国产化设备导入率超过70%，为全自动缺陷检测方案的碳化硅芯片制造工厂。

产能方面，根据珠海市生态环境局在官网于2023年6月披露的“格力电子元器件扩产项目环境影响报告表受理公告”显示，格力电器的第三代半导体芯片工厂项目总用地面积约为20万平方米，施工周期为12个月，将新建3座厂房及其配套建筑设施，其生产厂房1计划安装6英寸SiC芯片生产线，生产厂房2计划安装6英寸晶圆封装测试生产线，生产厂房3作为二期预留工程。预计项目建成后，将拥有年产24万片的6英寸SiC芯片制造及封装测试能力，原计划于2024年6月量产。

封面图片来源：拍信网