DS1314数据手册和产品信息

发布时间:2024-11-11 09:18:33  
DS1314:功能原理框图
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特性
  • 将CMOS SRAM转换为非易失性存储器
  • 当V CC 超出容差时,对SRAM实施无条件写保护
  • 发生V CC 电源故障时自动切换至电池备用电源
  • 监控锂电池的电压并在即将发生电池故障时发出预警
  • 低电平有效时发出低电池电量状态信号电池警告输出信号
  • 针对3.0V或3.3V电源进行自动V CC 电源故障检测
  • 节省空间的8引脚DIP和SOIC封装
  • 可选的16引脚SOIC和20引脚TSSOP版本可在发生电源故障时复位处理器,并在系统上电期间使处理器保持复位状态
  • 工业温度范围:−40°C至+85°C
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带电池监控器的DS1314非易失性控制器是一个CMOS电路,解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时,芯片使能会被禁止以实现写保护,并且电池会开启以向RAM提供不间断电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺,能够以超低的电池消耗提供高精度的电压检测。

除了备用电池支持之外,DS1314执行的重要功能还包括监控锂电池剩余电量并在电池电量耗尽之前发出警告。由于锂备用电池的开路电压在其使用寿命的大部分时间内保持相对恒定,因此准确的电池监控需要测量装载电池电压。为了执行此类测量,DS1314会定期将电池电压与精心选择的基准电压进行比较,因为它支持内部阻性负载。如果在这种情况下电池电压降至基准电压以下,电池电量很快就会耗尽。因此,电池警告引脚会被激活,以发出需要更换电池的信号。

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ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
DS1314E+ Thin Shrink Small-Outline Package external-link
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DS1314E+T&R Thin Shrink Small-Outline Package external-link
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DS1314S+ Small-Outline IC, Wide (0.3in) external-link
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DS1314S+T&R Small-Outline IC, Wide (0.3in) external-link
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DS1314S-2+ Small-Outline IC, Narrow (0.15in) external-link
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DS1314S-2+T&R Small-Outline IC, Narrow (0.15in) external-link
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DS1314S-2+T&R/C04 Small-Outline IC, Narrow (0.15in) external-link
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PCN

12月 11, 2018

- 1754N

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DS1314E+

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DS1314E+T&R

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10月 30, 2020

- 1702R2

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