PN8306M/H-5v3a反激同步整流芯片方案

发布时间:2024-04-02  

PN8306M/H同步整流电源芯片,与PN8370、PN8386配合使用,轻松实现5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。

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PN8306M 5v同步整流降压芯片特性:
1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器,效率提高3%以上;
2、内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET,典型应用5V2.4A/3.4A;/3、Smart控制算法实现零直通炸机风险;
4、VIN耐压高达24V,抗冲击能力强;
5、内置高压供电模块,同步控制不受输出电压波动影响,更可靠;
6、高精度次级电流检测,同步整流关断点精准,提高转换效率,避免倒灌电流;
7、超强HBM ESD设计, VIN、VDET无需外串电阻,可满足15kV空气/8kV接触ESD标准;
8、最小导通时间可通过RT电阻调整以匹配变压器设计,避免同步整流干扰PSR采样;
9、ESOP8裸铜散热封装,温升更低;
10、VIN欠压保护/过压钳位。

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PN8370M+PN8306M 内置mos同步整流芯片六级能效方案亮点 :
外围简洁(节省8颗元件):PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M独特控制技术可实现零外围工作,节省传统SR方案的供电RC滤波,SW侦测电阻,RT电阻,RC吸收等6颗元件。
高可靠性:a.方案三道防线,实现SR与PSR零直通风险;b.芯片HBM ESD大于4kV,latchup电流大于400mA,显著提高系统安规能力,接触静电高达15kV; c.PSR与SR匹配工作,彻底避免小载采样冲突,异常工况下,SR做好配角,PSR主导所有异常保护。
低待机功耗:PN8370M内置高压启动,可轻松实现50mW待机功耗。


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PN8306内置mos同步整流芯片因外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,骊微电子广泛于5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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