【导读】继标准型DRAM、NAND Flash市况谷底反弹后，DDR3利基型内存在国际大厂全力冲刺高带宽内存（HBM）、DDR5等高阶应用，并空出DDR3市场的带动下，推升DDR3芯片价格短线急涨近一成，本季合约价可望劲扬10%至15%，明年首季持续看俏，华邦、钰创、晶豪科等业者近期订单涌进，开始加大备货力道，喜迎涨价商机。

继标准型DRAM、NAND Flash市况谷底反弹后，DDR3利基型内存在国际大厂全力冲刺高带宽内存（HBM）、DDR5等高阶应用，并空出DDR3市场的带动下，推升DDR3芯片价格短线急涨近一成，本季合约价可望劲扬10%至15%，明年首季持续看俏，华邦、钰创、晶豪科等业者近期订单涌进，开始加大备货力道，喜迎涨价商机。

标准型DRAM与NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等国际大厂主导，台厂在芯片制造端无法与其抗衡，仅模块厂有望以低价库存优势搭上DRAM与NAND芯片市况反弹行情；随着DDR3跟着涨价，对相关内存业者帮助大。

业界人士分析，带动此波内存市况转扬的主要动能，在于国际大厂陆续减产的效益发酵，近期随着产能紧缩，更严格控制出货，完全展现要支撑价格上涨的决心。

另一方面，三星、SK海力士、美光积极跨足AI应用，将主要产能挪到生产高带宽内存、DDR5等高阶领域，也让DDR3市场出现空间，近期客户端回补库存以及消费性电子急单报到，研调机构集邦科技指出，DDR3报价从9月起陆续走扬，DDR3 4Gb至今累计涨幅近一成，DDR3 2Gb累计涨幅则有14%。合约价方面，集邦预期本季将劲扬10%至15%，明年首季续强，有望再涨5%至10%。

DDR3相关业者均正向看待市况发展。钰创认为，随着库存消化告一段落，「循环谷底已过」，目前逐渐迎向复苏的曙光．正向看待明年全球DRAM市场将迎来显著成长。

华邦总经理指出，本季营运将优于第3季，看好明年DRAM市况。

供应链透露，随着产业经过逾一年库存去化，近期终端消费性电子急单大增，带动DDR3芯片需求喷发，华邦、钰创向载板协力厂备货量激增，晶豪科投片量也有上升趋势，显示市况回温以及价格反转之际，业者无不积极备货迎接盛况。

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