7月19日，全球半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）在深圳召开媒体交流会。会上，罗姆宣布已开发出EcoGaN^TM Power Stage IC “BM3G0xxMUX-LB”，面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源。

图片来源：罗姆

据罗姆介绍，新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。功耗方面，与现有的Si MOSFET相比，新产品器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，有助于减少服务器和AC适配器的体积或损耗。

外形上，新产品为VQFN封装，8x8mm，厚度是1毫米的IC，一体化的封装。在元器件数量上，普通产品是9个相关元器件，而罗姆新产品将驱动方式进一步简化，外置Power Stage相关元器件只需1个，有助于应用产品的小型化。

电压方面， 新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V~30V)，拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET。目前，新产品有两款，分别是BM3G007MUV-LB、BM3G015MUV-LB，导通电阻分别是70毫欧和150毫欧。

此外，还备有三款评估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用来评估芯片的整体方案性能，另外两款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客户现有方案进行测试。

罗姆表示，新产品已于2023年6月开始量产（样品价格4000日元/个，不含税）。另外，新产品及对应的三款评估板 (BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003 、 BM3G015MUV-EVK-003) 已开始网售，在Ameya360等电商平台可购买。

GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通的半导体材料——Si（硅）相比具有更优异的物理性能，并凭借出色的高频特性，成为第三代半导体材料代表物之一。罗姆认为，目前氮化镓应用最多的领域在快充、小型笔记本电脑等，今后可能会扩展到车载OBC、数据中心的电源、分布式电源等应用。

2006年，罗姆开始了氮化镓相关产品的研发历程，该公司于2021年确立了150V GaN器件技术，普通氮化镓产品是6V耐压，罗姆的氮化镓产品达到了8V，后于2023年4月开始量产650V耐压产品，并于2023年7月发布了这款650V Power Stage IC。

据悉，EcoGaN^TM是罗姆专门为氮化镓器件申请的商标。罗姆将有助于应用产品的节能和小型化的氮化镓器件命名为“EcoGaN^TM”系列。

罗姆透露称，今后，公司将不断改进驱动技术和控制技术与EcoGaN^TM系列GaN器件相结合，便于客户选择。关于Power Stage IC下一代机型，准偕振AC-DC+GaN的器件预计在2024年一季度量产，功率因数改善+GaN的器件也是2024年第一季度量产，半桥+GaN的器件预计在2024年第二季度量产。

封面图片来源：罗姆