【导读】avnet.html">安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布供应安森美（onsemi）EliteSiC系列高度优化的最新碳化硅（SiC）产品，适用于能源基础设施应用。与同类竞品相比，这些新器件在现实条件下实现了更低的开关损耗，能够满足下一代能源基础设施系统的更高性能要求。

凭借数十年的创新技术经验以及可靠高效的下一代功率半导体，安森美将为能源基础设施应用实现更高功率密度水平，降低功率损耗，并缩短开发时间

中国上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布供应安森美（onsemi）EliteSiC系列高度优化的最新碳化硅（SiC）产品，适用于能源基础设施应用。与同类竞品相比，这些新器件在现实条件下实现了更低的开关损耗，能够满足下一代能源基础设施系统的更高性能要求。

随着脱碳转型的加速，全球能源需求逐步转向部署更多能源基础设施系统，包括直流快速充电器（DCFC）、太阳能逆变器和电池储能系统（BESS）。 

由于碳化硅的功率等级对于降低功率损耗、提高功率密度及降低冷却成本至关重要，因此，使用具有基础设施级可靠性且超坚固的SiC功率器件是设计出可靠耐用的能源基础设施系统的关键环节之一。

e络盟可现货供应安森美EliteSiC系列器件，典型应用包括UPS、DC/DC转换器、升压逆变器、太阳能逆变器、电动汽车充电站和工业电源系统等，且这些器件均无铅卤，符合RoHS标准。其中主要包括：

•EliteSiC单N沟道碳化硅器件，Typ. RDS（导通）= 80 m、超低栅极电荷（Typ. QG（tot）= 56 nC）、低有效输出电容（Typ. Coss = 79 pF）、TJ = 175°C，且100%经雪崩测试

•EliteSiC NXH006P120MNF2 MOSFET功率模块，具有1个6 m /1200 V SiC MOSFET半桥和1个热敏电阻，采用F2封装，可选带或不带预涂热界面材料（TIM），以及焊接或压合式插针选项。

Farnell及e络盟晶体管与WBG全球产品部主管Adrian Cotterill表示：“新增的EliteSiC系列器件是对e络盟产品阵容的又一关键补充，便于工程师使用安森美的领先组件进行能源基础设施系统开发，不仅品质最高且性能是同类中的佼佼者。这些经过高度优化的全新SiC产品可满足能源基础设施终端应用的最新性能要求。”

安森美持续致力于推动颠覆性创新，以打造更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场，不断加速实现大趋势的变革，包括汽车电气化和汽车安全、可持续能源网、工业自动化以及5G和云基础设施等。凭借高度差异化的创新产品组合，安森美打造出了智能电源和传感技术，以助力解决全球最复杂的挑战和难题，引领创建一个更安全、更清洁、更智能的世界。

客户现可通过Farnell（欧洲、中东和非洲地区）、Newark（北美地区）和e络盟（亚太地区）购买安森美最新能源基础设施解决方案。

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