特性
- 输入P1dB： 40 dBm (Vdd = 8 V)
- 高三阶交调截点： 62 dBm
- 正控制电压： 3 V至8 V
- 低插入损耗： 0.4 dB
- MSOP8G封装： 14.8 mm²
HMC784是一款高功率SPDT开关，采用8引脚MSOP封装，适合在高输入信号功率电平下需要极低失真性能的发射-接收应用。 该器件可控制DC至4 GHz范围的信号。 该设计在5 V偏置下提供出色的交调性能，三阶交调截点 > 60 dBm。 关断状态下，RF1和RF2反射短路。 片内电路在极低直流电流时采用3 Vdc至8 Vdc单正电源工作，且控制输入兼容CMOS逻辑系列。
应用
- 蜂窝/4G基础设施
- WiMAX、WiBro和固定无线
- 汽车远程信息系统
- 移动无线电
- 测试设备
停产数据手册 1
质量文档 4
磁带和卷轴规格 1
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC784MS8GE |
8-Lead MSOP w/ EP
|
|
|
| HMC784MS8GETR |
8-Lead MSOP w/ EP
|
|
根据型号筛选
重置过滤器
产品型号
产品生命周期
PCN
5月 6, 2019
- 19_0063
Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia
HMC784MS8GE
过期
HMC784MS8GETR
过期
1月 11, 2017
- 16_0010
Discontinuance of Select RF and Microwave Products
HMC784MS8GE
过期
HMC784MS8GETR
过期
根据型号筛选
重置过滤器
产品型号
产品生命周期
PCN
5月 6, 2019
- 19_0063
Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia
HMC784MS8GE
过期
HMC784MS8GETR
过期
1月 11, 2017
- 16_0010
Discontinuance of Select RF and Microwave Products
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
|
推荐新设计使用 |
GaAs MMIC 10 W T/R开关DC至4 GHz |
评估套件 1
EVAL-HMC784MS8GE
HMC784MS8GE评估板
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S-参数
