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研发客服7月20日，兆易创新宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列。该系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品，缩小了高达36%的占板面积，为空间受限的产品提供了更大的设计自由度，其最大厚度仅为0.4mm。
在低功耗设计方面，兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内，在待机状态下，电流仅为0.1μA，可显著延长电子设备的电池寿命。
为满足便携式电子产品的存储需求，兆易创新GD25WDxxK6提供单通道、双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择，最高时钟频率可达104MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年，且全系列支持-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃温度范围。
据悉，目前兆易创新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量产品已全面量产；2Mb~4Mb容量产品可提供样片，预计在8月中旬实现量产，客户可联络销售代表或授权代理商了解相关的信息。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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