IDTechEx曾通过市场调查预测, 到 2023 年，SiC 逆变器占据 BEV 市场的 28%。GaN HEMT 是一种新兴技术，可能会成为电动汽车市场的下一个主要颠覆者。它们具有关键的效率优势，但在采用方面面临着重大挑战，例如其最终的功率处理能力。SiC MOSFET 和 GaN HEMT 之间存在相当大的重叠，两者都将在汽车功率半导体市场占有一席之地。

SiC以其卓越的热导性、高击穿电压和低导通电阻等特性，在电动汽车的电力电子器件中占据了重要地位。SiC器件的高功率密度和效率，使得电动汽车能够以更高的性能运行，同时延长电池寿命。特斯拉Model 3的成功应用SiC MOSFET，标志着SiC技术在电动汽车领域的商业化突破。随着技术的不断进步，SiC在电动汽车逆变器、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中的应用预计将进一步增加，特别是在800V高电压平台的电动汽车中。

GaN以其超快的开关速度、高效率和小巧的尺寸，在电动汽车的高频率应用中展现出独特的优势。GaN器件不仅适用于无线充电、激光雷达（LiDAR）和音频放大器等应用，还能在车载充电器（OBC）中实现更快的充电速度和更高的功率密度，从而减小OBC的尺寸和重量。此外，GaN技术在牵引逆变器中的应用有助于提高车辆的整体性能和续航里程，同时降低系统成本。随着GaN技术的成熟，其在电动汽车领域的应用正在逐步扩展，与SiC形成竞争的高性能应用。

图：SiC和GaN在电动汽车的新兴应用和未来趋势

预计未来几年内，SiC和GaN将在电动汽车领域发挥更加关键的作用。随着电动汽车行业对更高效率和更长续航里程的追求，这两种材料的应用将会不断增加。集成GaN功率IC的发展将推动电动汽车电源系统的小型化、轻量化和高效率化。同时，高压平台的电动汽车预计将为SiC和GaN功率器件带来新的增长机会。

此外，随着技术的成熟和成本效益的提高，SiC和GaN有望在电动汽车的更广泛应用中取代传统的硅基半导体。这不仅将推动电动汽车性能的进一步提升，也将加速电动汽车的普及，为减少道路部门的二氧化碳排放做出贡献。

SiC和GaN作为电动汽车未来的关键半导体材料，它们的应用和发展将深刻影响电动汽车行业的技术进步和市场格局。

IDTechEx 预测，到 2035 年，SiC MOSFET 的市场份额将远远超过 50%，同时汽车功率半导体市场也将大幅增长。SiC MOSFET 为电动汽车市场面临的许多问题提供了解决方案：续航里程焦虑、快速充电、可持续性以及 800V 架构的兴起。

同时，IDTechEx也对GaN做出预测，表示GaN将在5年内进入电动汽车电力电子市场。进入市场的方式因组件而异：早期是车载充电器、DC-DC 转换器，后期是牵引逆变器。