STM32G031G8U6单片机内部FLASH读写简单学习

发布时间:2024-06-03  

此篇限定研究范围为FLASH区域的访问规则。


以下结论均为实测所得:


一、读


1.单字节读例程,单字节读可以从任意地址开始读


uint8_t STMFLASH_ReadByte(uint32_t faddr)

{

  return *(volatile uint8_t*)faddr; 

}

2.半字(2个字节)读例程, 半字读只能从偶数地址开始读 ,从奇数地址读的话单片机就死机了


uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr)

{

  return *(volatile uint16_t*)faddr; 

}

3.字(4个字节)读例程, 按字读只能从4的整数倍地址开始读 ,否则单片机死机


uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)

{

  return *(volatile uint32_t*)faddr; 

}

二、写


1.单次写入字节数:


我看G0x1的技术参考手册上说一次写入是72bit(64bit加ecc),我实际测试是单次写入只能是32bit,以实际测试为准


(1)单字节写,写不了,单片机死机


我在HAL库里面把库函数FLASH_Program_DoubleWord改成如下进行验证的


``


static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)


{


/* Set PG bit */


SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);


*(uint8_t *)Address = (uint8_t)(Data&0xff);__ISB();


*((uint8_t *)Address+1) = (uint8_t)((Data>>8U)&0xff);__ISB();


*((uint8_t *)Address+2) = (uint8_t)((Data>>16U)&0xff);__ISB();


*((uint8_t *)Address+3) = (uint8_t)((Data>>24U)&0xff);__ISB();


*((uint8_t *)Address+4) = (uint8_t)((Data>>32U)&0xff);__ISB();


*((uint8_t *)Address+5) = (uint8_t)((Data>>40U)&0xff);__ISB();


*((uint8_t *)Address+6) = (uint8_t)((Data>>48U)&0xff);__ISB();


*((uint8_t *)Address+7) = (uint8_t)((Data>>56U)&0xff);


}


``


(2)**半字写,写不了,单片机死机


我在HAL库里面把库函数FLASH_Program_DoubleWord改成如下进行验证的


static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)

{

  /* Set PG bit */

  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);



  *(uint16_t *)Address = (uint16_t)(Data&0xffff);__ISB();

  *((uint16_t *)Address+2) = (uint16_t)((Data>>16U)&0xffff);__ISB();

  *((uint16_t *)Address+4) = (uint16_t)((Data>>32U)&0xffff);__ISB();

  *((uint16_t *)Address+6) = (uint16_t)((Data>>48U)&0xffff);


}

(3)按字写(4个字节,32bit),可以,HAL库函数FLASH_Program_DoubleWord里面就是按字写的


static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)

{

  /* Set PG bit */

  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);



  /* Program first word */

  *(uint32_t *)Address = (uint32_t)Data;



  /* Barrier to ensure programming is performed in 2 steps, in right order

    (independently of compiler optimization behavior) */

  __ISB();



  /* Program second word */

  *(uint32_t *)(Address + 4U) = (uint32_t)(Data >> 32U);


}

(4) 按64bit写, 写不了,单片机死机


我在HAL库里面把库函数FLASH_Program_DoubleWord改成如下进行验证的


static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)

{

  /* Set PG bit */

  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  

  *(uint64_t *)Address = (uint64_t)Data;

  }

2.写入的首地址规则


经过实际验证得出:**写入首地址必须为8的整数倍,不然就会发生错误:如果为4的整数倍但不是8的整数倍,单片机不会死机,但是写入的值全部变成0x3F,其他既不是4的整数倍也不是8的整数倍的地址,单片机会死机。


按以下代码改变写入首地址即可进行验证


STMFLASH_Write(FLASH_CALIBRATION_ADDR+8,String,sizeof(String));

HAL_Delay(10);

STMFLASH_Read(FLASH_CALIBRATION_ADDR,buffer,sizeof(String)/4+1);

HAL_Delay(10);

Uart_Send_Data(buffer, sizeof(String));


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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