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研发客服贸易部周三表示，即使在华盛顿提议的旨在防止美国补贴在中国使用的规则实施之后，但电子和 SK 海力士将能够维护和升级其在中国的制造设施——尽管幅度很小。
本文引用地址：美国商务部周二宣布，将限制《芯片与科学法案》资金的接受者在包括中国和俄罗斯在内的“相关国家”投资扩大半导体制造。
但该限制并非完全禁止在中国投资，因为该部门允许接受公司将先进芯片的产能扩大 5%，将采用相对较旧制造工艺生产的芯片产能扩大 10%。
贸易、工业和能源部在审查了所谓的芯片护栏细节和去年通过的科学法案后，在周三发布的一份声明中表示：“在升级技术时，芯片制造商可以通过提高密度来增加每片晶圆的芯片数量，这转化为产能扩张。”
随着电子在中国西安的制造园区扩产，该地负责供应约 40% 的 NAND 闪存产品。
位于中国无锡的 SK 海力士工厂生产 96 层和 144 层 NAND 闪存以及约 40% 的 DRAM。
这两家芯片制造商表示，他们正在彻底审查拟议规则的细节。
三星电子在一份声明中表示：“我们一直在与美国和的相关政府机构进行密切讨论，并计划在审查今天公告的细节后确定我们的下一步行动。” 半导体行业的一位消息人士表示，这一决定帮助芯片制造商避免了最坏的情况。
消息人士称：“此前有人担心两家公司可能被迫关闭在中国的芯片工厂，因为最初的媒体报道称美国将对芯片工厂在中国的扩张实施 10 年禁令。”
尽管如此，由于美国对《芯片和科学法案》施加了诸多限制，这些公司仍面临着保持设施运行和使其与最新技术保持一致的困难。
去年 10 月，商务部要求企业向其在中国的工厂提供制造额定 18 纳米或更小的 DRAM 内存芯片和 128 层或更多层的 NAND 闪存芯片的技术，并获得美国政府的批准。
三星电子和 SK 海力士获得了 10 月规则的一年豁免。
与此同时，韩国立法委员会同意提出一项旨在增加韩国半导体制造设施税收优惠的法案。立法者将在定于 3 月 30 日举行的全体会议上投票。
该修正案将给予大公司高达 15% 的半导体制造投资税收抵免，高于之前的 8%。对于中小企业，这一比例将从目前的 16% 上调至 25%。