近日，存储大厂美光、三星纷纷披露最新市况。美光方面披露将投资21.7亿美元扩大其DRAM内存生产，近期其也公布了2025财年第一季度（2024年9月至2024年11月）的业绩报告，该季营收较为亮眼，但美光对于下一季度的预测，体现了其对存储市场的隐忧，美光表示NAND闪存市场正遭遇前所未有的挑战；另外三星电子方面也将调整DRAM未来研发策略。

从总体市况看，目前，多家存储厂商正在将生产重点进一步集中至高附加值存储产品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企业级固态硬盘（eSSDs）等产品上。

1月1日，美国弗吉尼亚州州长格伦・杨金表示，美光计划投资21.7亿美元扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂。该项目将对该设施进行升级，以生产用于工业、汽车、航空航天等应用的特种DRAM存储器。此外，美光还有望获得由弗吉尼亚州经济发展伙伴机构（MEI Commission）批准的最高达7000万美元的专项资金。

值得注意的是，近期美光刚刚宣布获得了联邦政府依据《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）提供的2.75亿美元资金，用于升级其位于马纳萨斯的长寿命DRAM制造工厂，该笔资金还将助力美光将面向汽车行业的DRAM生产线从中国台湾地区迁回美国本土。

目前，美光尚未详细说明具体的工厂升级计划，以及此次扩建将为工厂带来多少额外的生产制造能力。通常而言，用于工业、汽车、航空航天和国防等领域的长寿命DRAM内存产品的生产规模相对较小，因此相关特种内存制造工厂的规模也并不庞大。

另外美光近期在披露其最新财报时表示，美光已与新加坡政府已达成协议，将在新加坡建设先进的HBM封测设施，以支持AI时代的增长需求，并满足未来NAND制造长周期需求规划。该项目将从2027年起大幅扩张美光在先进封测环节的产能基础。

对于2025财年的资本支出，美光财报显示，其预期约为140亿美元（上下浮动5亿美元），主要用于支持HBM的产能建设、先进包装设施扩充、研发投资以及新厂建设等。该公司已与美国商务部达成协议，最高可获61亿美元的《芯片与科学法案》相关资金支持，用于在爱达荷州与纽约州的先进DRAM制造工厂项目。

据外媒近日消息，三星电子已开始建设其10nm第7代DRAM（1d DRAM）测试线，以为三星电子开发10nm第8代DRAM（1e DRAM）做准备。考虑到三星电子的DRAM开发路线图，预计该规划仍处于非常早期阶段。

据悉，三星电子目前正在量产10nm第5代DRAM（1b DRAM），其电路线宽约为12.54nm。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM（1c DRAM），目前正在加速提高良率，目标是在明年5月之前获得1c DRAM的内部量产批准（PRA）。此外，三星电子从2024年第四季度开始在平泽P2工厂建设10纳米级第七代（1d）DRAM测试线，该生产线预计将于明年第一季度全面建成。

业界人士披露，三星电子的产品开发策略或发生了变化，在经过该公司最新的组织及人事调整后，三星电子正在积极鼓励技术发展。在DRAM领域，三星电子正在开发4F²VCT DRAM和3D DRAM等多种技术，以应对下一代DRAM市场，并且1e DRAM也是其中之一。

与4F²VCT DRAM或3D DRAM不同，1e DRAM与目前的产品没有结构变化，因此具有无需大规模设施投资（CAPEX）的优势。如果三星电子在1d DRAM之后推出1e DRAM，预计将显著降低CAPEX和生产成本。一旦三星电子选择先量产1e DRAM，VCT DRAM的量产预计将推迟到2020年代末。

财报显示，美光当季实现营收87.1亿美元，较上一季度的77.5亿美元与去年同期的47.3亿美元均有大幅跃升，同比增长84%，环比增长12%。美光该份财报数据的最大亮点就在于美光数据中心业务收入首次超过整体收入的50%，同比增长400%。据悉，美光科技的HBM收入，较前一财季几乎翻倍，同时公司预计HBM将为美光科技在2025财年创造数十亿美元的收入。美光科技总裁兼首席执行官（CEO）Sanjay Mehrotra强调：“这一趋势具有转型意义，我们对于HBM在行业中的领导地位以及对未来几年的发展路线图充满信心。”

在数据中心固态硬盘（SSD）业务方面，美光亦创造了季度营收新高，并在数据中心与整体SSD市场均取得市占率提升。并且据美光12月20日最新消息显示，美光已开始与客户进行6550 ION NVMe SSD的认证。这是全球速率领先的60TB数据中心SSD，也是业界首款E3.S及PCIe 5.0的60TB SSD。

美光表示，数据中心的热浪还不足以抵消消费电子市场低迷的影响，按照美光CEO Sanjay Mehrotra的说法，虽然有AI拉动存储市场数据中心业务的增长，但占据更大市场份额的智能手机、PC消费电子产品依旧疲软，过去一年的复苏整体低于行业预期。

按产品划分的销售额比例，DRAM约为64亿美元，NAND约为22亿美元。就DRAM而言，ASP（平均售价）升至高个位数，但就NAND而言，则跌至低个位数。

美光预计下一季度（2024年12月至2025年2月）的销售额将较上季度大幅下滑，至77亿美元至81亿美元。这一预测低于目前市场普遍预期的89.9亿美元。每股收益预测为1.33美元至1.53美元，低于股市共识的1.92美元。

美光表示之所以下调明年初的业绩预期，是因为美光预计数据中心对DRAM和NAND的需求将持续增长，但预计PC和汽车等部分行业的需求将相对较低。尤其是NAND业务目前呈现的疲软态势。美光将2025财年的NAND位总量（产能增长率）从之前的10%中增幅下调至10%低增幅，其中消费类SSD库存持续调整被认为是主要因素。

相应地，美光设施投资政策也将重点关注尖端DRAM和HBM（高带宽存储器）的转换投资。2025财年的总投资规模预计为135亿至145亿美元。美光表示，“我们正在减少对NAND设施的投资，并谨慎管理NAND工艺过渡的速度”，“我们将优先考虑能够支持DRAM和HBM长期需求增长的投资。”

2024年11月，存储市场就释放出传统NAND、DDR4等存储产品或被减产的消息，具体减产措施上，三星、铠侠拟于2025年开始对NAND进行减产，预计依照市场状况进行分阶段减产。SK海力士则逐步降低DDR4传统DRAM生产比重，从而将有限产能转向人工智能用存储器及先进DRAM产品。

从市场情况看，目前服务器DRAM需求稳定且呈增长趋势，随着云计算和数据中心需求的增长，包括AWS、Meta、Azure、Google、百度、HPE、Dell、阿里云等CSP（云服务提供商）科技巨头持续投资服务器的推动，DDR5等芯片和内存模组的采用情况也在逐步上升。与此同时，由于个人电脑需求下降等因素，PC DRAM芯片的销售有所停滞。

NAND方面，综合行业多方消息显示，2023年主要的NAND生产线利用率下降至50％之后，在2024年中期产能利用率曾恢复到80%~90%。而至2024年三四季度，市场现货交易价格呈向弱趋势，产能利用率也逐步下降。目前市场上除大容量NAND工艺外，通用NAND产品的需求仍然较低，这促使企业根据市场情况进一步调整利用率。

据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季NAND Flash供货商将面临库存持续上升，订单需求下降等挑战，平均合约价恐季减10%至15%。DRAM市场看，2025年第一季进入淡季循环，其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅预估将扩大至8%至13%，若计入HBM产品，价格预计下跌0%至5%。

目前，多家存储厂商正在将生产重点进一步集中至高附加值存储产品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企业级固态硬盘（eSSDs）等产品上。