【导读】据中信证券发布研究报告称，存储行业周期角度，海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，主流存储价格23Q3起持续回暖，并在Q4带动利基存储价格触底回升，看好产业链细分龙头23Q4随库存去化、需求逐步回归迎来业绩底部复苏，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。
据中信证券发布研究报告称，存储行业周期角度，海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，主流存储价格23Q3起持续回暖，并在Q4带动利基存储价格触底回升，看好产业链细分龙头23Q4随库存去化、需求逐步回归迎来业绩底部复苏，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。
报告显示，11月DRAM价格涨跌互现，环比-14.29%~+4.02%，本轮高点21年(3-6月)至23年(7-9月)低点累计跌幅为69%~86%，触底以来累计涨幅为6%~19%；11月NAND Flash价格持续上涨，环比12.20%~+25.82%(TLC 512Gb价格连续5个月环比上涨，TLC 256Gb价格连续3个月环比上涨)，本轮高点21年(8月)至23年(7-8月)累计跌幅为47%~72%，触底以来累计涨幅为41%~93%；11月SSD、移动存储价格持续上涨，内存条部分回调，本轮高点(22年3月)至低点(23年7-8月)累计跌幅为45%~64%(SSD&DDR4)，触底以来累计涨幅为2%~69%(SSD&DDR4&UFS&eMMC)。
报道表示，8月末起，晶圆端涨价已开始传导至模组端，根据机构数据显示，SSD、eMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的价格上涨，并延续到12月上旬。展望后续，该行预计12月部分紧缺且对应下游需求复苏较早的产品涨价将持续(如移动存储)，库存持续去化的下游环节如传统服务器内存的价格涨势或将相对放缓。该行认为，Wafer合约价格在本轮周期复苏和涨价中表现相对温和，且具备持续性，对行业整体供需关系的趋势判断更具参考意义。该行预计23Q4 NAND各环节涨价将延续;随各原厂持续减产DDR4、行业库存去化、下游服务器市场复苏，预计2024年主流DRAM价格有望持续回升。
在产业上游，回顾CY23Q3，各原厂营收环比均取得增长，毛利率持续回升，验证行业已进入上行周期;美光科技、西部数据对CY24Q1/CY23Q4展望积极，其中美光预计CY24Q1 Non-GAAP毛利率将大幅回升至+11.5%~+14.5%。稼动率来看，TrendForce预计FY23Q4为全行业稼动率低点(75%)，FY24将逐季回升。该行认为，海外大厂2023年稼动控制意愿坚定，年内存储供需关系已逐渐改善，后续看好低稼动带来的库存去化加速、以及各下游先后复苏带动存储景气度于2024年持续回升。HBM方面，英伟达计划引入更多的供应商，其中三星的HBM3(24GB)预期于今年12月在英伟达完成验证，届时SK海力士独供格局或将被打破。目前，三家原厂均已送样HBM3e至英伟达，预期24Q1先后完成验证。
需求方面，IoT品类中，海外市场及低阶产品需求较好，Q3下游客户持续拉货;手机品类受益下半年新机集中发布，叠加23H1供应链库存去化顺利，下游多数品牌客户Q3拉货积极；PC 23Q3库存持续去化，需求复苏渐进；传统服务器行业仍处于库存去化阶段。
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