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研发客服2022年3月16日，华邦电子宣布推出全新SpiFlash® 产品W25Q64NE ，首次将1.2V SPI NOR Flash容量扩展至64Mb。华邦新型W25Q64NE闪存可提供更多代码存储空间并减少设备的运行功耗，充分满足新一代智能可穿戴设备和移动设备的内存需求。
华邦是第一家推出 1.2V SPI NOR Flash的闪存制造商，该产品工作电压的扩展范围是1.14V-1.6V，可兼容单节 AA型碱性电池的输出电压。此次将产品容量提升至64Mb，华邦 1.2V NOR Flash系列产品可满足智能设备对代码存储空间的更高要求。目前，新型 W25Q64NE产品已经送样，同时提供符合行业标准封装的USON8-3x4和WLCSP小尺寸封装形式。
2022年3月16日，华邦电子宣布推出全新SpiFlash® 产品W25Q64NE ，首次将1.2V SPI NOR Flash容量扩展至64Mb。华邦新型W25Q64NE闪存可提供更多代码存储空间并减少设备的运行功耗，充分满足新一代智能可穿戴设备和移动设备的内存需求。
华邦是第一家推出 1.2V SPI NOR Flash的闪存制造商，该产品工作电压的扩展范围是1.14V-1.6V，可兼容单节 AA型碱性电池的输出电压。此次将产品容量提升至64Mb，华邦 1.2V NOR Flash系列产品可满足智能设备对代码存储空间的更高要求。目前，新型 W25Q64NE产品已经送样，同时提供符合行业标准封装的USON8-3x4和WLCSP小尺寸封装形式。
产品特点
通常，移动设备和可穿戴设备的总功耗有99%都是在运行模式中产生，与1.8V SpiFlash产品相比，华邦1.2V SPI NOR Flash可将Flash本身的运行功耗减少三分之一。因此，使用华邦的 1.2V NOR Flash可帮助电池容量较小的设备如TWS耳机与健身手环大幅延长产品续航时间。
华邦表示：“如今，电池续航时间已经成为影响消费者购买TWS耳机和智能手表等新产品的关键因素，而华邦新型W25Q64NE闪存正是这些设备制造商的理想选择，可助力提高终端产品竞争力。”
在工作频率为 50MHz 的读取模式下，1.8V SpiFlash 内存的工作电流为 4mA，功耗为 7.2mW。而同样在50MHz时，华邦1.2V SpiFlash内存的工作电流也为4mA，但功耗仅为 4.8mW。使用1.2V SpiFlash替换1.8V产品，可立即节省33%的功耗。
除省电外，1.2V SpiFlash还可简化系统设计并降低成本。随着 SoC工艺向更先进的制程发展，新一代 SoC 的 I/O 电压正在逐步降低，目前已经低于1.8V，因此需要搭配电平转换器才能与传统的 1.8V/3V SPI Flash连接，这将导致额外的成本支出并增加系统设计的复杂性。而采用1.2V 闪存，SoC 无需电平转换器即可直接连接到 SPI Flash，从而降低 BOM 成本和 PCB 占用空间。
华邦W25Q64NE配备性能出色的标准SPI NOR 接口，最大数据传输速率可达 42MB/s。与1.8V/3V SPI Flash操作方式的架构相同，支持最小4KB的可擦除扇区。
产品特点
通常，移动设备和可穿戴设备的总功耗有99%都是在运行模式中产生，与1.8V SpiFlash产品相比，华邦1.2V SPI NOR Flash可将Flash本身的运行功耗减少三分之一。因此，使用华邦的 1.2V NOR Flash可帮助电池容量较小的设备如TWS耳机与健身手环大幅延长产品续航时间。
华邦表示：“如今，电池续航时间已经成为影响消费者购买TWS耳机和智能手表等新产品的关键因素，而华邦新型W25Q64NE闪存正是这些设备制造商的理想选择，可助力提高终端产品竞争力。”
在工作频率为 50MHz 的读取模式下，1.8V SpiFlash 内存的工作电流为 4mA，功耗为 7.2mW。而同样在50MHz时，华邦1.2V SpiFlash内存的工作电流也为4mA，但功耗仅为 4.8mW。使用1.2V SpiFlash替换1.8V产品，可立即节省33%的功耗。
除省电外，1.2V SpiFlash还可简化系统设计并降低成本。随着 SoC工艺向更先进的制程发展，新一代 SoC 的 I/O 电压正在逐步降低，目前已经低于1.8V，因此需要搭配电平转换器才能与传统的 1.8V/3V SPI Flash连接，这将导致额外的成本支出并增加系统设计的复杂性。而采用1.2V 闪存，SoC 无需电平转换器即可直接连接到 SPI Flash，从而降低 BOM 成本和 PCB 占用空间。
华邦W25Q64NE配备性能出色的标准SPI NOR 接口，最大数据传输速率可达 42MB/s。与1.8V/3V SPI Flash操作方式的架构相同，支持最小4KB的可擦除扇区。
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