旺宏年底将量产192层NAND Flash，减少明年资本支出

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来源: 电子元件技术

【导读】据MoneyDJ报道，旺宏在新产品研发进度上，192层的NAND Flash即將推出，预计年底到明年初会量产，3D NOR Flash会在明年年底前有sample送到客户手上，而在资本支出上，今年已有一些投入，考量到行情仍未明显复苏，明年资本支出将较今年减少。

据MoneyDJ报道，旺宏在新产品研发进度上，192层的NAND Flash即將推出，预计年底到明年初会量产，3D NOR Flash会在明年年底前有sample送到客户手上，而在资本支出上，今年已有一些投入，考量到行情仍未明显复苏，明年资本支出将较今年减少。

旺宏表示，年底到明年初会量产的192层的 NAND Flash，针对特定主要客户，营收贡献约是明年下半年，新研发的技术则是超过300层的产品；3D NOR Flash 预计明年底释出sample后，营收贡献通常要再等1-2年。

2024年的资本支出部分，旺宏表示，除了RD的需求外，其它产能扩充都暂时延后，而且今年已有规划产能扩充上的投资，所以明年资本支出会比2023年减少。

至于旺宏拟兴建的新厂进度部分，目前clean room已完成，部分设备已导入。

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