据了解，这项资助是美国《芯片和科学法案》（CHIPS Act）的一部分，旨在促进美国国内半导体产业的发展和创新。美国商务部指出，"高性能内存芯片是图形处理单元（GPU）的重要组成部分，而GPU的处理能力提升，推动了人工智能系统的发展"。

SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung表示，该公司期待着 "建立一个新的人工智能技术中心"，并帮助创建 "一个更强大、更有弹性的全球半导体行业供应链"。

他同时表示:“我们正与印第安纳州、普渡大学、美国企业合作伙伴一起，推进印第安纳州生产基地的建设，以最终通过西拉法叶城提供尖端人工智能存储器产品。”

根据SK海力士与美国商务部签署的初步协议，公司除了直接融资外，还有资格获得5亿美元的潜在贷款，以及最高可达合格资本支出25%的投资税收抵免。

此前，SK海力士计划在印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元建设生产基地，预计该基地将于2028年下半年开始量产下一代高带宽存储芯片（HBM，High Bandwidth Memory），这也是是SK海力士在美国的第一个封装工厂。

SK海力士的这一投资预计将为当地创造约1000个就业岗位，同时填补美国半导体供应链的关键空白。

HBM芯片在人工智能系统、高性能计算和数据中心等领域的应用日益增长，SK海力士通过其HBM3E产品已成为英伟达（NVIDIA）的主要供应商。该产品是第一个通过英伟达认证测试的HBM芯片，使SK海力士在HBM芯片领域占据了重要市场份额，领先于三星电子和美光科技。

随着全球芯片需求的激增，美国政府正通过资金支持来加强国内半导体产业的竞争力。除了SK海力士，英特尔、三星、台积电和美光等公司也通过《芯片法案》获得了资金支持。

据韩联社，对SK海力士补贴具体金额今后将根据美国《芯片和科学法案》的资助机会通知（NOFO）敲定。SK海力士的补贴资金比例为11.6%，虽低于三星电子（14.2%），但高于台积电（10.2%）和英特尔（8.5%）。

SK海力士的这一投资是其全球扩张战略的一部分，公司还计划在韩国龙仁市建立新的芯片工厂，并计划在2028年之前投资103万亿韩元以加强其芯片业务。