在人工智能（AI）热潮席卷全球下，带动市场对于高带宽内存（）需求大幅增长，造成产能紧张。知情者透露，美国内存芯片大厂（Micron）为掌握更多产量，正在美国打造多条测试生产线以求扩大产能，并首度考虑在马来西亚生产，同时扩大在台中的产能。

日本经济新闻20日报导，今年6月初曾经表示目标在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，达到25％附近，这跟其目前在全球DRAM市占率差不多，正积极要在HBM领域追上韩国SK海力士与三星电子。

知情者表示，美光正扩大其爱达荷州博伊西总部的HBM相关研发设施，包括生产线和验证线。由于美光已经在马国拥有芯片封测设施，因此也正考虑在当地生产HBM。至于其最大HBM生产地台中，也传出要扩大产能。

报导称，英伟达供AI运算的最新芯片组B200包括两个GPU和8颗HBM芯片，因此对HBM需求量大增。根据摩根士丹利数据显示，英伟达是全球最重要AI运算芯片供货商，也是HBM最大买家，其购买量占2024年全球产量约48％。

尽管目前只有SK海力士、三星电子和美光能生产HBM，但根据TrendForce调查，SK海力士的全球HBM市占率逾50％，三星电子42.4％，美光仅不到8％。因此如何争取辉达订单，已成为这三大厂商的重要任务。

目前SK海力士正在美国和韩国兴建新厂来扩大产能，三星电子致力取得辉达认证来为其B200芯片组供货，美光则是争取到为辉达H200生产8层堆栈高带宽内存HBM3E。另外，三星电子的HBM3E则被辉达执行长黄仁勋要求尽快提升良率和质量。

另由于HBM能提升AI运算效率，中国也致力自家研发和生产HBM。譬如，中国内存巨头已经订购半导体制造和测试设备，要生产中国首款HBM。但在中美芯片战背景下，美国政府考虑加强管制HBM相关技术出口至中国。