存储市场跌幅将继续收窄,这条赛道趁机快速崛起

2023-07-28  

【导读】此前,由于制造商及内存供应商库存的增加和需求恶化,存储市场陷入了严重衰退期。虽然存储价格还在下跌,但情势或将有所好转。TrendForce集邦咨询认为,预计第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3%~8%,第四季有望止跌回升,第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。


5.jpg


结合几大原厂最新财报数据及市场动态显示,库存调整有所成效,市场出现了一些回温的迹象。


三星、美光财报带来回温迹象?


近期,三星电子公布2023年第二季度财报的初步数据,期内销售额为60万亿韩元,同比下降22.3%;营业利润从上一年的14.1万亿韩元降至6000亿韩元,同比下降95.7%。行业人士认为,虽然三星电子财报仍在持续下跌,但其利润降幅小于行业人士预期。


美光科技财报显示,三季度营收为37.5亿美元,高于市场预期的36.9亿美元,去年同期为86.4亿美元,同比下降57%;利润率下滑16.1%,利润下滑幅度低于市场预测。


结合上述两家大厂财报数据后,业界认为,存储芯片价格在持续下跌一年多以后,库存过剩现象有所缓解,市场出现了一些复苏的迹象。美光方面表示,存储芯片行业已度过低谷。


库存压力仍在


虽然供需在走向平稳,但存储厂商的库存压力仍在。


半导体分析师王志伟对记者表示,虽然市场偶有涨价的消息传出,但是否能因此带动市况反转,则仍须看整体需求和市场接受度。


据TrendForce集邦咨询研究显示,受惠于DRAM供应商陆续启动减产,整体DRAM供给逐季减少,加上季节性需求支撑,减轻供应商库存压力,预期第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。不过,目前供应商全年库存应仍处高位,今年DRAM均价欲落底翻扬的压力仍大,尽管供给端的减产有助季跌幅的收敛,然而实际止跌反弹的时间恐需等到2024年。


而在对2023年DRAM市场的展望中,Yole方面认为,“宏观经济的不确定性使得近期需求预测非常不稳定”,但供应商的积极应对将带来“历史最低的产能增加”,市场将在2023年下半年恢复平衡。报告称,供应商的库存可能还需要几个季度才能恢复正常。


王志伟认为,从中长期来看,随着人工智能时代的到来,全球算力正在以指数级增长,而这将直接拉动对存储的需求。


Yole预测,未来五年,数据中心对DRAM的需求将增长30%以上,同期整体DRAM需求将以每年20%以上的速度增长。Yole表示:“AI(人工智能)、IoT(物联网)和5G(第五代移动通信)相互交织,将为算力需求乃至DRAM需求提供强劲的顺风。”


NAND市场方面同样不明朗。TrendForce集邦咨询表示,原厂减产幅度持续扩大,实际需求未明,第三季NAND Flash市场仍处于供给过剩。即便下半年有季节性旺季需求支撑,但目前买方仍持保守的备货态度,压抑NAND Flash价格止跌回稳。第三季NAND Flash Wafer均价预估将率先上涨;SSD、eMMC、UFS等模组产品,则因下游客户拉货迟缓,价格续跌,预计第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3%~8%,第四季有望止跌回升。


HBM争霸战开打


随着ChatGPT(一种以类人方式回答问题的生成式人工智能聊天机器人)的兴起,这又是韩国公司现在正在启动另一项竞争场技术战,将对高容量、高性能半导体(称为高带宽内存(HBM))的需求不断增长。消息表示,第二大内存厂商SK海力士将在首尔举行闭门投资者关系会议,向包括国家管理局补贴的机构投资者和分析师介绍该芯片制造商的HBM能力。


SK表示,与早期产品相比,24GB封装产品的内存容量增加了50%。现有HBM3产品最大内存容量为16GB,采用 8层配置。该公司最新的12层、24GB HBM3拥有多达约819GB的数据处理速度,能够在秒内传输163部全高清电影。


与此同时,三星计划在年底前开始大规模生产 HBM3 芯片。


该公司高管表示,将斥资数千亿韩元,到 2024 年底将天安工厂的 HBM3 芯片制造能力提高一倍。有消息人士称,三星将向无晶圆厂芯片设计公司AMD等客户供应其产品。


据当地券商KB证券称,到2024年,HBM3将占据其芯片销售收入的18%,较今年预计的6%大幅提升。


三星芯片负责业务的设备解决方案部门总裁兼负责人 Kyung Kye-hyun 在本月早些时候的公司会议上表示,三星将努力控制一半以上的 HBM 市场。“我们收到了客户对我们的 HBM3 产品的积极回应,


三星董事长李在镕(Jay Y. Lee)在 5 月份的美国之行期间会见了 Nvidia 创始人黄仁勋(Jensen Huang), 讨论了扩大业务合作伙伴关系的方法,特别是在 GPU和AP方面。


三星和SK海力士都希望他们的半导体业务能够通过HBM等大容量芯片容量的增加实现盈利。HBM芯片垂直互连多个DRAM芯片,与传统DRAM产品相比,可大幅提高数据处理速度,其价格至少是 DRAM 的五倍。


分析师预计,三星芯片部门和 SK 海力士将在本周晚些时候公布业绩时,点亮运营杠杆将分别达到创纪录的 8.5 万亿韩元(合65亿美元)和6.3万亿韩元。


国产实力相差悬殊


HBM需求爆发,三星、SK海力士、美光三大存储芯片巨头正在将更多产能转移至生产HBM,但由于调整产能需要时间,很难迅速增加HBM产量,预计未来两年HBM仍将供应紧张。


不过,在HBM领域,国内厂商布局不大,只有一些厂商涉及封测。比如,国芯科技正在研究规划合封多HBM内存的2.5D的芯片封装技术,积极推进Chiplet技术的研发和应用;通富微电在建先进的2.5D/3D先进封装研发及量产基地,将实现国内在HBM高性能封装技术突破;华海诚科生产的颗粒状环氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封装,相关产品已通过客户验证,现处于送样阶段。


总的来说,国内HBM内存芯片与国际巨头的差距还是非常大。


来源:贤集网



免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


推荐阅读:


文章来源于:电子元件技术    原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。