7 月 25 日消息，在日本政府以及各大财团的支持下，Rapidus 已启动日本唯一一家制造先进硅工艺的半导体工厂，计划在 2025 年启动 2nm 试生产并在 2027 年量产，和行业巨头台积电相比仅落后 2 年时间。

Rapidus 首席执行官小池淳义在接受《日经新闻》采访时表示，正在就向美国一些最大的科技公司供应半导体进行谈判。“我们正在寻找一个美国的合作伙伴，我们已经开始与一些 GAFAM 公司洽谈。具体来说，有来自数据中心的需求。”他说。

科普：Rapidus 成立于 2022 年 8 月，由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、电装 Denso、铠侠、三菱日联银行等 8 家日企共同出资设立，出资额为 73 亿日元，另外日本政府也提供了 700 亿日元补助金作为研发预算。

日本半导体企业 Rapidus 总裁小池淳义此前表示：计划最早到 2025 年上半年建成一条 2nm 原型线，技术确立就需要 2 万亿日元，而筹备量产线还需要 3 万亿日元。

这条 2nm 半导体试产线第一个原型将在 2025 年完成建造，然后在 2027 年开始大规模量产，以尽快追上台积电等世界级半导体厂商的步伐，而后者计划将于 2025 年量产 2nm 制程工艺。

值得一提的是，2nm 量产所需要的技术难度相比现有技术大大提高。虽然台积电在日本熊本县设有工厂，但这家预定 2024 年开始量产的半导体工厂也也只能生产 12～28 纳米产品。

此外，Rapidus 于 2022 年底与美国 IBM 签署了技术授权协议，IBM 已于 2021 年成功试制出 2 纳米产品。Rapidus 将于近期向美国派遣员工，以熟练掌握所需要的基础技术。

小池淳义此前表示 Rapidus 专家团队现在大约 100 人，第一批已经在纽约州的 IBM 完成了相关培训。IBM 是 Rapidus 的主要技术捐助者，曾于 2021 年展示了采用 2nm 技术制造的存储原型。

Rapidus 计划基于 IBM 2nm 工艺技术开发“Rapidus 版”制造技术，2025 年开始逻辑半导体试产，2027 年量产。Rapidus 版本的生产技术主要集中在两个主要领域：

预计需求将增长的“高性能计算（HPC）”芯片

预测智能手机未来的“Ultra Low Power（超低功耗）” 芯片

小池淳义在采访中表示，Rapidus 将独立测试和封装其制造的半导体元件，这不仅会缩短生产周期的长度，而且可以增加利润。

Rapidus 希望对每个硅晶圆的加工实施快速反馈，这将大大加快识别缺陷和问题的过程，并最终加快成品的上市时间。

据称，Rapidus 不会与台积电竞争，而是更愿意继续成为专注于服务器领域、汽车行业、通信网络，量子计算和智能城市方面的利基制造商。