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研发客服【导读】淡季存储行情持续走低，令存储原厂继续亏损。据SK海力士最新Q1财报显示，季度营收同比减少58%至5.088万亿韩元（约合40亿美元），环比下滑34%，营业利润-3.40万亿韩元（约合25.4亿美元），环比下滑79%，净利润-2.59万亿韩元（约合19.3亿美元），环比亏损收窄，同比由盈转亏。
来源：SK海力士
SK海力士表示，继续对库存较高的存储产品进行减产，随着一季度客户库存水位下行，二季度起原厂减产库存去化，预计以Q1为低点，销量逐渐递增，Q2业绩将有所回升。
尽管Q1继续亏损且营业利润方面亏损继续加大，但SK海力士预计受销量逐渐增加的推动，收入将在第一季度触底，第二季度将出现反弹。投资者认为，这与市场预期一致，因此SK海力士股价在财报后上涨3.7%。
数据来源：SK海力士，图表制作：CFM闪存市场
Q1具体业务来看：
·NAND业务收入占比33%，约1.68万亿韩元，NAND Bit出货环比减少约15%，ASP环比下跌约10%，176层NAND产品良率稳定，扩大了176层SSD/uMCP产品的销售，预计Q2环比呈两位数增长。
·DRAM业务收入占比58%，约2.95万亿韩元，DRAM Bit出货环比减少约20%，ASP环比下跌约16%~19%，1anm DRAM产品良率达到稳定水平，主动支持DDR5/LPDDR5需求，预计Q2环比达两位数增长。
库存方面，由于淡季存储市场持续低迷，SK海力士一季度库存环比Q4增长约10%，至17.18万亿韩元。SK海力士表示已经对部分低利润存储产品进行减产，效果从一季度逐渐开始显现，基于今年需求前景下调，继续调整库存水位较高产品的晶圆开工。
数据来源：SK海力士，图表制作：CFM闪存市场
资本支出将大砍50%以上，SK海力士通过投资先进技术确保市场领先性
通过积极改变产品组合灵活响应客户需求，SK海力士预计Q2 DRAM和NAND bit将均环比实现两位数增长（包括Solidigm在内）。另外，在产品上积极支持DDR5/LPDDR5需求并扩大176L SSD/uMCP产品销售， 并使1anmDRAM和176L NAND产品良率达到稳定。
就2023全年来看，SK海力士预计DRAM bit需求增长5%-9%；NAND bit增长15%-19%。
资本支出方面，SK海力士2023年期间将继续投资DDR5/LPDDR5/HBM3产品研发与生产，并推动1bnm DRAM和238L NAND量产。尽量减少不必要的投资，使2023整体资本支出将同比减少超50%。
减产方面，SK海力士已经在Q4减少部分低利润及高库存产品的晶圆产能，效果已经在Q1逐渐显现。
先进技术方面，SK海力士通过推动1bnm DRAM和238L NAND量产保持技术领先。其中，1bnm DRAM随着EUV技术引入，工艺效率大幅提升能够确保下一代产品高良率水平，目前该技术产品在初期测试阶段；预计2023年128GB及更高密度DDR5模块的销量将同比增长6倍以上。
SK海力士已经开发出业界首款12层堆叠的HBM产品，HBM3已经达到24GB存储容量，通过TSV技术实现与16GB产品相同的堆叠高度，预计今年HBM 销售额同比增长超过50%。
应用市场展望
应用市场来看，由于消费者个人电脑需求疲软，PC出货量将连续两年保持下降，高规格电脑及游戏PC需求将增加。
随着中国经济回暖、下半年需求复苏以及手机厂商新品发布，旗舰与中低端机型容量提升，16GB及以上的LPDDR5X以及9.6Gbps LPDDR5T产品需求将增加。
2023年期间，由于企业IT支出减少、服务器厂商库存调整，服务市场需求将表现疲软。尽管如此，内存产品需求向DDR5过渡趋势明显。另外，在大语言模型及生成式AI发展和商业化竞争环境下，高性能存储产品需求提升。
来源：CFM，闪存市场
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