9月27日，住友金属矿山株式会社（以下简称“住友金属”）及其全资子公司Sicoxs Coparation宣布，将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸（200mm）SiCkrest大规模生产线，SiCkrest为直接键合的碳化硅（SiC）衬底。

住友金属已经开始销售6英寸SiCkrest产品，并且其直接键合技术已经获得许可。而在8英寸方面，尽管公司在2022年7月做出了投资开发线的决策，但直到2024年9月才开始向客户发送样品进行认证。

住友金属预计，随着8英寸衬底生产线的建成，到2025财年下半年，键合SiC衬底的月产能将超过10,000片（6英寸等效）。同时，Sicoxs还计划开始向其被许可方供应多晶SiC支撑基板。

据悉，SiCkrest使用一种独特的键合技术来创建两层晶片，从而实现高性能和有竞争力的价格。通过在低电阻多晶SiC支撑基板上键合一层高质量的单晶SiC薄层，这些产品能够在保持单晶SiC特性的同时，实现整个基板的低电阻和减少电流衰减。

SiC作为一种优异的半导体材料，特别适用于控制电力。与传统硅（Si）相比，SiC能够承受更高的电压，并且显著减少能量损失。这些特性使得SiC在电动汽车和混合动力汽车的驱动控制器中备受青睐，尤其是在需要大电流和高耐压的高容量领域，预计市场需求将不断增长。

根据TrendForce集邦咨询推出的《2024全球SiC Power Device市场分析报告》，作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiCPower Device市场规模有望达到91.7亿美金。

此外，生产单晶SiC需要大量电能。Sicoxs的技术通过重复使用单晶SiC来增加市场供应，同时减少整体能源消耗。住友金属矿山集团将继续扩大其SiCkrest相关业务，并致力于实现可持续的业务增长和增加企业价值。

值得注意的是，近期，日本多家碳化硅厂商也纷纷采取行动：

● 8月1日，东海碳素（Tokai Carbon）宣布计划投资54亿日元（约合人民币2.66亿元）在日本神奈川县茅崎市建设一条多晶SiC晶圆专线，预计2024年12月完工。
● 9月17日，日本碍子宣布成功制备出直径为8英寸的SiC晶圆，并在美国ICSCRM 2024上展示了相关研究成果。公司利用其陶瓷加工技术在多个衬底上生长具有低BPD密度的4H-SiC晶体。通过该工艺，公司完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同时生长了9个晶体的实验。
● 9月24日，Resonac（原昭和电工）宣布与Soitec签署合作协议，共同开发用于功率半导体的8英寸SiC键合衬底。

这些动态表明，日本在碳化硅领域的研发和生产能力正在不断增强。