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中国领先的信号链芯片及解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称“纳芯微”）宣布推出满足AEC-Q100车规级标准的NSi81xx系列EMC增强型多通道数字隔离芯片，从而将其产品线扩展至通用IC领域。NSi81xx系列数字隔离芯片采用特制的高压隔离芯片工艺，可提供符合UL1577的多种电气隔离耐压（3.75kVRMS，5kVRMS），且具有高电磁抗扰度和低辐射的特性，数据率高达150Mbps，延时小于10ns，共模瞬态抗扰度（CMTI）高达100kV/us。
NSi81xx系列芯片目前已推出2通道和4通道器件，并提供窄体和宽体两种封装形式，和市场上的数字隔离器引脚兼容，并提供可选的数字通道方向配置以及输出默认高电平和低电平可选。NSi81xx系列具有目前业界最佳的芯片级ESD性能表现，HBM模式防护等级可达+/-8kV，其出色的系统级电磁兼容（EMC）性能，增强了系统的可靠性和稳定性，降低了系统的复杂度。NSi81xx支持多种规格可配置，产品交期短，可帮助客户缩短产品导入市场的周期。
和传统光耦解决方案相比，纳芯微推出的数字隔离芯片集成度高，可以大大减少系统器件数量，大幅减小系统BOM面积，同时还具有延时更短、功耗更低的特点，避免了光耦的光衰问题，可长期可靠工作。NSi81xx系列多通道数字隔离器能用于任何需要电压隔离、电平转换或接地回路消除等功能的应用，其典型应用场景包括工业自动化、新能源汽车、开关电源、电机控制等。
纳芯微CEO王升杨表示：“纳芯微NSi81xx系列高可靠性多通道数字隔离芯片的推出打破了国外数字隔离技术垄断。配合纳芯微经过改进的芯片工艺以及专利的芯片设计技术，NSi81xx实现了最高5kV的隔离耐压，增强的EMC特性并且符合各种安规认证。由于NSi81xx符合AEC-Q100 Grade 1品质要求，也可用于电动汽车、充电桩等新兴应用。”
主要优势：
多种规格可配置，产品交期短
高电气隔离耐压（3.75kVRMS，5kVRMS）
符合AEC-Q100 Grade 1汽车标准
业界最佳的芯片级ESD性能：HBM:+/-8kV，提供出色的系统级EMC性能
与市场上的数字隔离器引脚兼容
高共模瞬态抗扰度（CMTI）：+/-100Kv/us
宽电源供电范围：2.5V至5.5V，方便实现电平转换功能
数据传输速率：DC 至 150Mbps
隔离栅寿命：>60 年
超低功耗：1.5mA/通道（1Mbps）
低传播延时：<10ns
宽工作温度范围：-40摄氏度~125摄氏度
供货信息：
NSi81xx系列提供符合RoHS标准的SOIC-8窄体和SOIC-16宽体封装
NSi81xx系列芯片目前已推出2通道和4通道器件，并提供窄体和宽体两种封装形式，和市场上的数字隔离器引脚兼容，并提供可选的数字通道方向配置以及输出默认高电平和低电平可选。NSi81xx系列具有目前业界最佳的芯片级ESD性能表现，HBM模式防护等级可达+/-8kV，其出色的系统级电磁兼容（EMC）性能，增强了系统的可靠性和稳定性，降低了系统的复杂度。NSi81xx支持多种规格可配置，产品交期短，可帮助客户缩短产品导入市场的周期。
和传统光耦解决方案相比，纳芯微推出的数字隔离芯片集成度高，可以大大减少系统器件数量，大幅减小系统BOM面积，同时还具有延时更短、功耗更低的特点，避免了光耦的光衰问题，可长期可靠工作。NSi81xx系列多通道数字隔离器能用于任何需要电压隔离、电平转换或接地回路消除等功能的应用，其典型应用场景包括工业自动化、新能源汽车、开关电源、电机控制等。
纳芯微CEO王升杨表示：“纳芯微NSi81xx系列高可靠性多通道数字隔离芯片的推出打破了国外数字隔离技术垄断。配合纳芯微经过改进的芯片工艺以及专利的芯片设计技术，NSi81xx实现了最高5kV的隔离耐压，增强的EMC特性并且符合各种安规认证。由于NSi81xx符合AEC-Q100 Grade 1品质要求，也可用于电动汽车、充电桩等新兴应用。”
主要优势：
多种规格可配置，产品交期短
高电气隔离耐压（3.75kVRMS，5kVRMS）
符合AEC-Q100 Grade 1汽车标准
业界最佳的芯片级ESD性能：HBM:+/-8kV，提供出色的系统级EMC性能
与市场上的数字隔离器引脚兼容
高共模瞬态抗扰度（CMTI）：+/-100Kv/us
宽电源供电范围：2.5V至5.5V，方便实现电平转换功能
数据传输速率：DC 至 150Mbps
隔离栅寿命：>60 年
超低功耗：1.5mA/通道（1Mbps）
低传播延时：<10ns
宽工作温度范围：-40摄氏度~125摄氏度
供货信息：
NSi81xx系列提供符合RoHS标准的SOIC-8窄体和SOIC-16宽体封装
文章来源于:ECCN 原文链接
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