中国领先的存储企业长鑫存储(CXMT)已经开始准备必要设备,计划制造自己的HBM高带宽内存,以满足迫切的AI、HPC应用需求。报道称,长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试HBM内存的必要设备。
这说明,相关开发设计工作已经完成,可以转入投产阶段。
消息人士称,早在2023年中,Applied Materials、Lam Research等美国设备供应商就获得了美国政府的许可,可以向长鑫出口HBM制造设备。
考虑到HBM内存需要先进、复杂的制造和封装技术,这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。
目前,长鑫已经在合肥有了一座DRAM内存工厂,正在筹钱建设第二座,会导入更先进的工艺,有可能会同时用来制造HBM。
暂时还不清楚长鑫要生产的HBM是第几代,可能是HBM3,而国际上已经有了更先进的HBM3E,SK海力士还计划在2026年抢先投产HBM4。
根据规划,HBM4将抛弃用了将近十年的1024-bit位宽,首次升级到2048-bit位宽,并有望堆叠更多层级,从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。
文章来源于:ECCN 原文链接
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