1 月 16 日消息,根据韩媒《首尔经济日报》报道,SK 海力士计划在 2024 年之前,完成对无锡 C2 工厂的改造,转换升级为第四代(1a)D-ram 工艺,该工艺达到 10nm 级别。
无锡工厂是该公司的核心生产基地,约占 SK hynix D-RAM 总产量的 40%。该厂目前生产 10 纳米后期级别的第二代(1y)和第三代(1z)D-RAM,属于旧(传统)产品线。
消息称 SK 海力士会在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的部分工艺,然后把晶圆运到韩国总部利川园区内,使用 EUV 加工之后再返回送到无锡工厂。
由于第四代产品只有一个 D-RAM 层需要采用 EUV 工艺,该公司显然认为成本增加是值得的。
在 2013 年无锡工厂大火期间,该公司克服了 D-RAM 生产中断的困难,因此在这种方法上也积累了丰富的经验。
关于无锡工厂的工艺转型,SK 海力士表示无法确认该公司具体的工厂运营计划。
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