1 月 16 日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK 海力士计划在 2024 年之前，完成对无锡 C2 工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram 工艺，该工艺达到 10nm 级别。

无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占 SK hynix D-RAM 总产量的 40%。该厂目前生产 10 纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧（传统）产品线。

消息称 SK 海力士会在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的部分工艺，然后把晶圆运到韩国总部利川园区内，使用 EUV 加工之后再返回送到无锡工厂。

由于第四代产品只有一个 D-RAM 层需要采用 EUV 工艺，该公司显然认为成本增加是值得的。

在 2013 年无锡工厂大火期间，该公司克服了 D-RAM 生产中断的困难，因此在这种方法上也积累了丰富的经验。

关于无锡工厂的工艺转型，SK 海力士表示无法确认该公司具体的工厂运营计划。