国际电子商情 12月8日 讯，东芝和罗姆将联合生产功率半导体。

据一份向日本经济产业省（METI）递交的申请计划显示，东芝和罗姆将投资3800亿日元（约合27亿美元）共同生产功率芯片，其中日本经产省将提供最多的三分之一的补贴，即1200亿日元（合8.3亿美元）的资金。

同时，作为合作项目的一部分，东芝将计划投资罗姆半导体位于日本九州宫崎县的新工厂。

罗姆和东芝纷纷投资功率半导体

11月7日，罗姆完成了对该公司原国富工厂的资产收购工作。据悉， 该工厂经过修整之后，将作为罗姆旗下制造子公司——蓝碧石半导体公司的宫崎第二工厂投入运营。而作为罗姆SiC功率半导体的主要生产基地，此工厂计划将于2024年年内投产。

此外，为了加强模拟IC的产能，罗姆在其马来西亚制造子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（以下简称“RWEM”）投建新厂房，并已于10月17日竣工。

隔离栅极驱动器是用来对IGBT和SiC等功率半导体进行合宜驱动的IC，在实现电动汽车和工业设备的节能化及小型化方面发挥着重要作用。为了增加模拟IC的生产基地数量，RWEM将首次开始生产IC，并计划于2024年10月投产。投产后，预计RWEM的整体产能可以提高约1.5倍。

随着汽车电气化需求的持续推进，东芝集团旗下的东芝材料正积极投资增加车规级氮化硅球的产量。

7月25日，东芝材料宣布对新生产设施进行重大投资，以提高氮化硅球的产能。 此设施将建在该公司位于日本九州北部的大分工厂，这一耗资 70 亿日元（约 5000 万美元）的项目预计将于2026年1月投产。

2022年7月，该公司还曾宣布在横滨总部进行扩产，将产量提高了50%。而当新的大分工厂达到满负荷时，生产能力将是2022年水平的2.5倍。