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研发客服存储器大厂美光近期公布最新路线图，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存储器技术，其中GDDR7正好赶上明年底下一代英伟达GPU芯片。
美光最新路线图延长至2028年，比7月发布时延长两年，内容也调整过，增加几款新产品。美光目前第二代HBM3运行速度为1.2TB/s，为8层堆叠，预计2026年推出12和16层堆叠的HBM4，带宽超过1.5TB/s；到2027~2028年，将发布12层和16层堆叠的HBM4E，带宽可达2TB/s以上。
至于GDDR7上市时间有些改变，从2024上半年延后到年底，与目前最快的GDDR6X模组（最高容量为16Gb，带宽为24Gb/s）相比，容量和带宽都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb，带宽为32Gb/s；到2026年下半年，会推出更快的GDDR7，带宽和容量将增至36Gb/s。
英伟达曾表示Blackwell将于2025年面世，而英伟达下一代GeForce RTX50系列有望使用美光GDDR7存储器。
DDR5存储器部分，美光为消费者和数据中心设定不同的产品线，计画基础是新32Gb单体设计。这种高容量模组将应用于128GB DDR5-8000内存条，一直延伸至2026年供桌机用户使用。
同时美光还开发用于服务器的MCRDIMM产品，速度为8000MT/s。这种设计的巅峰将是2025年底推出的256GB内存条，运行速度为12800Mb/s。
在移动领域部分，美光将在2024年底采用DellCAMM标准，焦点似乎在提高容量而非带宽，公司也表示将在2026年前使用8533Mb/s速率的内存条。第一代设计每条将提供16GB至128GB容量，到2026下半年，每个模组容量将增至192GB或更高。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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