传英伟达GB300元件测试有过热问题,将拖延量产时间

发布时间:2024-12-17  

【导读】据天风证券分析师郭明錤发布的最新投资研究报告表示,GPU大厂英伟达(NVIDIA)正为其明年即将推出的B300和GB300开发测试DrMOS技术,但其中发现AOS(Alpha and Omega Semiconductor Limited) 的5×5 DrMOS 芯片存在严重过热问题。如果这个的问题不能快速解决,则可能影响系统量产进度,并改变市场对AOS订单的预期。


传英伟达GB300元件测试有过热问题,将拖延量产时间


12月17日消息,据天风证券分析师郭明錤发布的最新投资研究报告表示,GPU大厂英伟达(NVIDIA)正为其明年即将推出的B300和GB300开发测试DrMOS技术,但其中发现AOS(Alpha and Omega Semiconductor Limited) 的5×5 DrMOS 芯片存在严重过热问题。如果这个的问题不能快速解决,则可能影响系统量产进度,并改变市场对AOS订单的预期。


报告指出,英伟达优先测试来自AOS 的5×5 DrMOS,一方面是增强对MPS 的议价力,进一步降低成本。另一方面则是因为AOS 拥有更丰富的5×5 DrMOS 设计与生产经验,对其解决方案有所期待。如今,传出AOS 的5×5 DrMOS 过热问题的原因,其主要原因是除了芯片本身之外,还来自于系统芯片在管理等方面的设计有所缺陷。


郭明錤在报告中进一步强调,如果AOS 无法在规定时限内解决该问题,英伟达可能会考虑测试其他新的5×5 DrMOS 供应商产品,也可能会考虑使用5×6 DrMOS,虽然成本更高,但具备更佳的散热效能,从而有利于MPS(该公司在5×6 设计有技术优势)。不过,最严重的情况是该问题可能会使得GB300 / B300 系统,产生量产延期的问题。


事实上,英伟达正在计划于2025 年中期推出其全新一代面向AI 服务器的“BlackwellUltra”GB300芯片。这款AI服务器芯片不仅在性能上有突破性的成长,更在散热系统上进行了前所未有的创新,支持AI服务器以全水冷的设计来达成冷却效果,进而突破AI 算力的局限。


另外,DrMOS (Driver-MOSFET) 是一种将驱动器和MOSFET (金属氧化物半导体场效应电晶体)整合在一个晶片上的技术,主要用于电压调节器,能够提高电源系统的效率和性能。而生产该产品的AOS是一家成立于2000 年的美国半导体公司,总部位于加州矽谷。AOS 专注于设计、开发和生产各种独立功率元件、电源管理IC 和模组,包括功率MOSFET、SiC 元件等。


英伟达也可能考虑采用的MPS 产品,MPS 是一家提供小型、高效能、易于使用的电源管理解决方案的公司,主要应用于电子系统中。该公司专注于电源管理IC 的开发,尤其以其独特的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 制程技术著称,能够达成低电阻和高效率。 MPS 的产品广泛应用于各种电子设备中,如通信设备、工业设备和消费电子产品。


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