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研发客服传统的DDR内存在特定温度范围内运作，通常不超过100°C（约212°F），但超过范围可能导致数据丢失及温控调频（Thermal Throttling）。不过，密歇根大学研究人员开发新存储器架构，特性几乎与DDR内存相反，操作温度范围至少为260°C（约500°F），并能在超过约594°C（约1,100°F）高温运行。
这种非传统内存设计利用电池特性，极端高温下储存数据。资料是通过在存储器内部的两层（半导体氧化钽和金属钽）间移动带负电的氧原子储存。这些氧原子通过一种固态电解质在两层钽材料之间转移，而固态电解质如同一道屏障，防止氧原子在两层之间随意跳动。
氧原子据称是透过三个铂电极（platinum electrodes）引导，控制每个氧原子从一层移到另一层，代表数据的改变。这些移动行为与电池类似，而三个电极控制氧原子是被吸入氧化钽还是被推出，则类似电池充电或放电过程。
氧化钽的氧含量据称可以当绝缘体或导体，分别以数字0或1表示，使材料能在两种电压状态间切换。
这种解决方案与传统方式完全不同，现今内存技术主要依靠电子移动，但电子对温度非常敏感。当温度过高时，由于电流物理极限的影响，电子会变得无法控制。相反地，密歇根大学提出这种特殊内存技术则依赖氧原子，不会受相同温度限制。
研究员指出，这种以氧原子为基础的解决方案，最低温度也必须相当高，所以运行前需要加热器将内存加热到工作温度，与内燃机类似。虽然目前尚未宣称有最高温度限制，但研究人员透露，这种内存可在超过594°C（约1,100°F）条件下储存讯息状态超过一天。因设计关系，这种解决方案比其他替代内存更节能。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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