概述
本章STM32CUBEMX配置STM32F103,并且在GD32F303中进行开发,同时通过开发板内进行验证。 本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写,用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存,无需加外部得存储芯片,本例程采用的是STM32F103ZET6进行移植,512K大小的Flash。
样品申请
https://www.wjx.top/vm/mB2IKus.aspx
生成例程
这里准备了自己绘制的开发板进行验证。
配置时钟树,配置时钟为64M。
查看原理图,PA9和PA10设置为开发板的串口。
配置串口。
串口重定向
在main.c中,添加头文件,若不添加会出现 identifier 'FILE' is undefined报错。
/* USER CODE BEGIN Includes */
#include 'stdio.h'
/* USER CODE END Includes */
函数声明和串口重定向:
/* USER CODE BEGIN PFP */
/* retarget the C library printf function to the USART */
int fputc(int ch, FILE *f)
{
HAL_UART_Transmit(&huart2 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);
return ch;
}
/* USER CODE END PFP */
FLASH定义
对于STM32F103,有低、钟、高密度的FLASH类型。
低密度
中密度
高密度
对于STM32F103ZE,FLASH大小为512KB,固为高密度的Flash。
变量定义
/* USER CODE BEGIN 0 */
uint32_t WriteFlashData[3] = {0x11111111,0x22222222,0x33333333};//数据
uint32_t WriteFlashData1[3] = {0x44444444,0x55555555,0x66666666};//数据
uint32_t addr = 0x0807F800;//page 255
uint32_t addr1 = 0x0807FC00;//page 255+1k
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr);
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr);
/* USER CODE END 0 */
如果要对FLASH进行写入数据,需要执行以下四步:
解锁FLASH
擦除FLASH
写入FLASH
锁住FLASH
擦除只能是按页或者整块擦除。 STM32F103ZET6和GD32F403ZET6的Flash容量是512KB,所以只有255页,每页2KB。 我们可以写入到页255中,即0x0807F800-0x0807FFFF中。 由于单片机是32位,故连续写入多个uint32_t的数据时,地址应该依次增加4。
/* USER CODE BEGIN 4 */
/*FLASH写入程序*/
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr)
{
uint32_t i=0;
/* 1/4解锁FLASH*/
HAL_FLASH_Unlock();
/* 2/4擦除FLASH*/
/*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
/*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES,块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
/*擦除页数*/
/*擦除地址*/
FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
FlashSet.PageAddress = addr;
FlashSet.NbPages = 1;
/*设置PageError,调用擦除函数*/
uint32_t PageError = 0;
HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);
/* 3/4对FLASH烧写*/
for(i=0;i< L;i++)
{
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);
}
/* 4/4锁住FLASH*/
HAL_FLASH_Lock();
}
/*FLASH读取打印程序*/
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr)
{
uint32_t i=0;
for(i=0;i< L;i++)
{
printf('naddr is:0x%x, data is:0x%x', addr+i*4, *(__IO uint32_t*)(addr+i*4));
}
}
/* USER CODE END 4 */
主程序
/* Infinite loop */
/* USER CODE BEGIN WHILE */
while (1)
{
/* USER CODE END WHILE */
/* USER CODE BEGIN 3 */
WriteFlashTest(3,WriteFlashData,addr);
WriteFlashTest(3,WriteFlashData1,addr1);
PrintFlashTest(3,addr);
PrintFlashTest(3,addr1);
HAL_Delay(5000);
}
/* USER CODE END 3 */
演示效果
可以看见,对于高容量,页的大小位2k,故写入addr1时候,addr的数据就被擦除了。