DRAM涨价效应持续，晶豪科Q2有望转亏为盈

发布时间: 2024-03-21

来源: 电子元件技术

【导读】DRAM价格自去年下半年反转向上，利基型存储通常会落后标准型DRAM 1-2季的时间，利基型存储IC设计厂商晶豪科也感受到客户开始因涨价而开始回补库存，也渐渐有涨价效应，第二季涨价效应可望较明显，法人估，晶豪科第二季可望转亏为盈。

DRAM价格自去年下半年反转向上，利基型存储通常会落后标准型DRAM 1-2季的时间，利基型存储IC设计厂商晶豪科也感受到客户开始因涨价而开始回补库存，也渐渐有涨价效应，第二季涨价效应可望较明显，法人估，晶豪科第二季可望转亏为盈。

晶豪科产品包括特定型DRAM产品线(包括各种规格的SDRAM、DDR 、PSRAM、低耗电之Mobile DRAM 等)；在闪存方面，则包括NOR Flash 及NAND Flash，另外，公司也提供「良品晶粒」(Known-Good-Die; KGD) 产品及多晶片模组封装(MCP)的解决方案。晶豪科表示，AI应用带动DDR4转换到DDR5以及HBM市场，对利基型存储市场也相对有利；去年第四季存储已开始反弹，以今年来看，价格可望是逐步走升的趋势。晶豪科2023年每股亏损4.36元，董事会决议配发现金股利0.6元。

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