DRAM涨价效应持续,晶豪科Q2有望转亏为盈

发布时间:2024-03-21  

【导读】DRAM价格自去年下半年反转向上,利基型存储通常会落后标准型DRAM 1-2季的时间,利基型存储IC设计厂商晶豪科也感受到客户开始因涨价而开始回补库存,也渐渐有涨价效应,第二季涨价效应可望较明显,法人估,晶豪科第二季可望转亏为盈。


DRAM价格自去年下半年反转向上,利基型存储通常会落后标准型DRAM 1-2季的时间,利基型存储IC设计厂商晶豪科也感受到客户开始因涨价而开始回补库存,也渐渐有涨价效应,第二季涨价效应可望较明显,法人估,晶豪科第二季可望转亏为盈。


DRAM涨价效应持续,晶豪科Q2有望转亏为盈

晶豪科产品包括特定型DRAM产品线(包括各种规格的SDRAM、DDR 、PSRAM、低耗电之Mobile DRAM 等);在闪存方面,则包括NOR Flash 及NAND Flash,另外,公司也提供「良品晶粒」(Known-Good-Die; KGD) 产品及多晶片模组封装(MCP)的解决方案。 晶豪科表示,AI应用带动DDR4转换到DDR5以及HBM市场,对利基型存储市场也相对有利;去年第四季存储已开始反弹,以今年来看,价格可望是逐步走升的趋势。晶豪科2023年每股亏损4.36元,董事会决议配发现金股利0.6元。


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