上个月(Canon)发布了一个名为 FPA-1200NZ2C 的纳米压印半导体制造设备,号称通过纳米压印光刻(NIL)技术实现了目前最先进的半导体工艺。然而,近日佳能首席执行官三井藤夫在采访中表示,该设备无法出口到中国。
据悉,纳米压印技术采用与传统投影曝光技术不同的方法形成电路图案,该设备不仅功耗更低、更环保,而且成本远低于现阶段 ASML 的 EUV ,佳能表示未来要扩大该类半导体设备的阵容来覆盖广泛的市场需求。
佳能首席执行官三井藤夫在最新的采访中表示,这项新的纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路。尽管目前佳能尚未做出最终定价决定,但是三井藤夫表示其价格将比 ASML 的 EUV 低一个数量级。
佳能在推动纳米技术量产 NAND 的同时将纳米压印量产技术应用于制造 DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上,目前在日本东京北部的宇都宫建造设备厂。佳能未来希望将其应用于先进制程的手机处理器以供应更多的芯片代工厂,进一步蚕食 ASML 的市场份额。
佳能CEO三井藤夫也在最新的采访中表示,可能无法将这些(基于纳米压印技术的)芯片制造设备出口到中国:“我的理解是,任何超过14nm技术的出口都是被禁止的,所以我认为我们无法销售。”
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