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研发客服12月14日，联电发布公告称，董事会通过了资本预算执行方案，预计投资金额达324.17亿元新台币（约人民币73.85亿元），以供产能建设要求。
据中国台湾媒体《联合报》报道，将主要用于建设中国台湾南科晶圆12A厂P6厂区及新加坡P3厂。联电指出，南科晶圆12A厂P6厂区与新加坡P3厂共计将投资100亿美元，逾新台币3000亿元，将于3、4年内完成投资。
其中，新加坡P3厂位于白沙晶片园（Pasir Ris Wafer Park），预计2025年量产，以22纳米及28纳米制程生产。因缺工缺料及机台交期长的影响，量产时程将较原先规划的2024年底延迟超过1季时间。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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