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首页产品分类分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管CSD86330Q3D
CSD86330Q3D

CSD86330Q3D

Texas Instruments Incorporated

Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON SYNC BUCK NexFET POWER BLOCK MOSFET PAIR, 25V, 65A, SON-8 IC, SYNC, BUCK, NEXFET, 8SON Synchronous Buck NexFET™ Power Block MOSFET Pair Texas Instruments , 双 N沟道 MOSFET 模块, 60 A, Vds=20 V, 8针 SON封装 MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET

分类：分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

规格参数

商业参数

其他名称296-28216-2
标准包装数量Tape & Reel

合规参数

RoHSContains lead / RoHS compliant by exemption
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412100
零件状态ACTIVE
抗辐射加固No

电气参数

电流15
FET类型2 N-Channel (Half Bridge)
最大栅源电压 Vgs10
FET特性Logic Level Gate
最大功率6W
功率等级1.9
晶体管类型:N Channel
供电电压:22V
Vgs(th)（最大）@ Id2.1V @ 250µA
阈值电压:1.4V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs9.6 mOhm @ 14A, 8V
最大功耗:6W
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic25
传播延迟时间:5.3ns
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs6.2nC @ 4.5V
漏源电压（Vdss）25V
共模瞬态抗扰度（最小）Military
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds920pF @ 12.5V
连续漏极电流（Id）@ 25°C20A

机械参数

宽度3.4(Max)
重量1
包装方式Tape and Reel
封装体颜色:SON
安装类型Surface Mount
引脚数:8
封装形式8SON EP
冷却的封装SON EP
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度3.4(Max)
包装数量SON EP
位数8
外壳尺寸-插件1.55(Max)
供应商器件封装8-SON (3.3x3.3)

产品信息

类型:MOSFET
软件SLPS264D
配置PowerBlock
图案编号Y
模块/板类型:Half Bridge
功能框图fbd_slps264d.gif
使用的IC/零件View
DigiKey可编程
印刷电路板数量8

环境参数

测试温度-55 to 150
工作温度-55 to 150 °C
结工作温度150C

技术文档

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