CSD16322Q5C
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 25V 97A 8SON MOSFET, N CH, 25V, 21A, 8SON DualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 21 A, Vds=25 V, 8针 SON封装 MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 296-25644-2 |
| 标准包装数量 | 2,500 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 零件状态 | ACTIVE |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 3.1W |
| 下降时间（典型） | 3.7 ns |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 12.3 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 25 V |
| 阈值电压 | :1.1V |
| 最大额定电流 | :97A |
| 导通电阻 RDS(On) | :3.9mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5@8V mOhm |
| 最大功耗 | :3.1W |
| 传播延迟（最大） | 10.7 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 5@8V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | 136 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.1 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 21 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1365pF @ 12.5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Ta), 97A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6 |
| 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SON EP |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 5 |
| 包装数量 | SON EP |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1 |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 软件 | SLPS241B |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 图案编号 | Y |
| 功能框图 | |
| 使用的IC/零件 | View |
| DigiKey可编程 | |
| 其他规格 | 1.3 |
| 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 测试温度 | -55 to 150 |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
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