TC4467EOE
Microchip Technology Inc.
MOSFET DRVR 1.2A 4-OUT Lo Side Inv 16-Pin SOIC W 4xDr NAND 1.2A 18V SO-16 SMD IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC TC4467EOE, Quad MOSFET Power Driver 1.2A Full Bridge, Inverting, 4.5 to 18V, 16-Pin SOIC Gate Drivers 1.2A Quad NAND I/P MOSFET DRIVER, QUAD, NAND, 16SOIC Microchip 4路 MOSFET 功率驱动器, 1.2A, 全桥, 反相, 16针 SOIC封装
规格参数
商业参数
最小起订量188
产品MOSFET Gate Drivers
单位包装47
产品类别Gate Drivers
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量47
合规参数
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85423990
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform
故障保护NANY/N/NA/NAN
电气参数
下降时间25 ns
延迟时间40ns
输入类型NAND
额定功率0.76 W
额定电压4.5 V
上升时间（典型）25 ns
输出电流4 mA
供电电流4 mA
驱动电路Low Side
供电电压4.5 V ~ 18 V
输出数量4
峰值输出电流1.2(Typ) A
最小输入电压18V
最小供电电压18 V
输入逻辑低电平CMOS
最大功耗760 mW
传播延迟时间75 ns
输入逻辑高电平CMOS
导通电阻（最大）NY/N/NA/NAN
传播速度（VoP）4.5V
滑臂电阻（欧姆）（典型）10 Ohm
峰值脉冲电流（10/1000µs）1.2A
漏电流（IS(off)）（最大）NY/N/NA/NAN
机械参数
宽度7.59mm
高度2.34mm
长度10.49mm
重量0.0002
包装方式TUBE
封装体颜色:SOIC
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:16
封装形式16SOIC W
冷却的封装SOIC
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
尺寸/外形10.49 x 7.59 x 2.34mm
位数16
供应商器件封装16-SOIC W
产品信息
类型Low Side
基本单元:4467
匹配码TC4467EOE
配置Low-Side
模块/板类型:Low Side
驱动器数量4
标准交期14 weeks
电机类型 - AC, DCFull Bridge
应用细节4xStage
配置数4
环境参数
工作温度-40 to 85 °C
结工作温度-40°C