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存储厂商：不出5年 机械硬盘将完全停售(2023-05-10)
是苟延残喘，单位密度提高的前景远不如SSD。
可能有些人会质疑电价难道不会降低吗？Rosemarin认为这需要核电技术再突破后才有可能实现。当前的现实问题是，一些国家和地区已经采取限电措施，原来......
三星明年将升级NAND核心设备供应链(2023-08-31)
下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND，该产品库存较多。
半导体的制造基于硅晶圆，因此减少晶圆投入量就会降低产量。相比于通过增加生产时间来延迟出货的“技术生产延迟......
业界首创512GB CXL AIC内存扩展卡，江波龙革新AI与高性能计算领域内存(2024-04-17)
AIC内存扩展卡实测性能远超业界现有DRAM on-board封装的E3.S DDR5内存拓展模块，带宽高达54GB/s，延迟低至213.3ns。此外，对比了市面上其他同类型产品，笔者......
佰维推出高性能、高可靠，佰维推出高品质DDR5内存模组(2022-12-21)
佰维推出高性能、高可靠，佰维推出高品质DDR5内存模组;
【导读】随着PC、服务器等应用终端不断升级迭代，其在数据存储上对低延迟、低功耗、高速度、大带宽等提出了越来越高的要求，导入......
通过DDR5为数据中心带来先进的服务器性能(2022-11-01 14:14)
的数据速传输率最终将提升至8.4 GT/s。由于加入了判决反馈均衡器（DFE）等新功能，DDR5的IO速度和数据速率也变得更高。降低工作电压（VDD）：这将提高电源效率。采用DDR5之后，DRAM、缓冲......
金泰克发布笔记本DDR5内存 超频可到5600MHz(2021-11-10)
容量大、频率高外，笔记本DDR5内存相比DDR4内存功耗也降低了。采用最新工艺DDR5的VPP降低到1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整体下降，性能提升了85%。这是几代DDR电压......
美光发布全新256GB MRDIMM内存：AMD提出 却仅支持Intel(2024-07-18 11:37)
美光发布全新256GB MRDIMM内存：AMD提出 却仅支持Intel;
美光宣布推出全新的MRDIMM DDR5内存条，目前已经出样，可为AI、HPC应用提供超大容量、超高带宽、超低延迟......
芯动科技宣布完成LPDDR5/5X/DDR5 IP设计和量产验证(2022-06-28)
能计算、汽车自动驾驶、移动终端等高性能应用领域。
芯动科技表示，最新的LPDDR5X与LPDDR5相比，速度提升17%，延迟降低15%，对5G通信性能、汽车高分辨率增强现实/虚拟现实和使用AI的边......
美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存(2023-11-14)
美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存;当地时间11月9日，存储大厂美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存，速度高达8000MT/s，可支持当前和未来......
应用笔记 | STM32L4R9 的QuadSPI Flash 通讯速率不理想(2023-10-09)
;
STM32L4R9是Cortex-M4 内核，系统总线是32bits的，怀疑是在32bit总线上传输byte数据会降低效率，造成延迟，于是修改代码如下：
示例代码在下面路径，需要......
STM32L4R9的QuadSPI Flash通讯速率不理想(2024-09-20)
Cortex-M4 内核，系统总线是32bits的，怀疑是在32bit总线上传输byte数据会降低效率，造成延迟，于是修改代码如下：
示例代码在下面路径，需要使用附件中的main.c文件......
美光宣布推出128GB RDIMM大容量内存(2023-11-30)
（1-beta） 技术，128GB DDR5 RDIMM内存使用32Gb DDR5 DRAM颗粒，相比其他3D堆叠硅通孔（TSV）产品具备位元容量提高超过45%、能源效率提升高达24%、延迟大幅降低......
存储产业的下一个“新宠”是？(2024-07-25)
计划，该模组还将提供24bit位宽子通道、48bit位通道并支持“连接器阵列”，以满足未来高性能计算和移动设备的需求。
图片来源：JEDEC
而DDR5 MRDIMM内存支持多路复用列，能够......
美光发布256GB MRDIMM(2024-07-19)
器。
对比传统的RDIMM DDR5，它的有效带宽提升最多39％，总线效率提升超过15％，延迟降低最多40％。
256GB TFF（薄型） MRDIMM......
Maxim Integrated推出神经网络加速器芯片，在电池供电设备中实现IoT人工智能(2020-10-21)
推理能耗降低到前期方案的百分之一以内，采用AI技术的电池供电系统可大幅延长其运行时间，有助于实现之前无法逾越的新一代电池供电AI应用。此外，MAX78000并没有影响延迟指标和成本：其成本只是FPGA或......
外媒：存储大厂目标年底NAND库存正常化(2023-08-22)
，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。
由于半导体是在硅晶圆的基础上制造的，减少晶圆投入量就会减少产量。与通过增加生产时间来延迟......
金泰克速虎T4 DDR5内存正式发售：大容量 高频率 低功耗(2021-10-25)
读速为36143MB/s，写入为32013MB/s，延迟为81.4ns。对比DDR4单根内存读取24659MB/s、15376MB/s，延迟73.8ns，速虎T4 DDR5内存，单根内存比DDR4的读......
大内存时代振奋人心的CXL技术（下）(2023-02-06)
进行了详细阐述，并从存储变革了解了CXL的未来意义。
CXL技术的出现带来了一个全新的市场，本文将继续对业界各大厂在CXL上的布局以及CXL技术依旧存在着较高延迟性进行阐述，希望有助于大家更进一步了解CXL现状......
宣布领先业界推出基于 32Gb 单裸片的128GB DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能[ ]，可支持当前及未来的数据中心工作负载。该款大容量、高速......
美光率先为业界伙伴提供基于 32Gb 单裸片 DRAM 的高速率、低延迟 128GB 大容量 RDIMM 内存(2023-11-23 10:10)
DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持当前及未来的数据中心工作负载。该款大容量、高速率内存模块特别针对数据中心和云环境中广泛的任务关键型应用，例如......
Intel Arrow Lake P/E大小核布局变了！有两大好处(2024-07-02)
来是两个P核，再往后是四个核，紧接着一个P核，如此往复。
这么做的好处看起来有两个，一是P核、E核之间的通信延迟会大大缩小，可以直接互通，而不需要间隔好几站。
比如......
白皮书证实SK海力士DDR5是实现行业最优化数据中心的关键(2023-09-14)
。
因此，两家公司预测，如果服务器客户未来利用第四代至强处理器和DDR5搭建数据中心，将有助于改善能源效率，构建可持续的数据中心。此外，通过高效运营数据中心，客户总体拥有成本（TCO）5也会有所降低......
美光 MRDIMM 创新技术打造最高性能、低延迟主存，为数据中心工作负载加速(2024-07-18)
一代服务器平台提供了亟需的带宽和容量，并降低了延迟，旨在扩展 AI 推理和高性能计算应用。MRDIMM 在提供与 RDIMM 相同的可靠性、可用性、适用性和接口的同时，显著降低了每项任务的能耗，为客......
Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进一步提升服务器存储性能;
· 第二代寄存时钟驱动器（RCD）将DDR5数据速率提高17%，同时降低......
Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进一步提升服务器存储性能;
· 第二代寄存时钟驱动器（RCD）将DDR5数据速率提高17%，同时降低......
Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进一步提升服务器存储性能;
· 第二代寄存时钟驱动器（RCD）将DDR5数据速率提高17%，同时降低......
高速、低功耗的DDR5数据缓冲器发布(2020-09-15)
为推动这些应用发展的内存技术的基石。瑞萨全新兼容JEDEC的DDR5数据缓冲器5DB0148可为LRDIMM显著提升速度并降低延迟。基于瑞萨组件的第一代DDR5 LRDIMM，与运行在3200MT/s的DDR4......
MCU是否会从ADAS域控制器消失(2023-06-02)
汽车功能安全MCU能够做到150°C的高工作温度；从这个角度，有一颗外置MCU似乎更加安全
成本
算力SoC集成MCU，真正能带来成本的降低吗？ 这里我们不把定价问题考虑进来，只是从设计角度出发，就是......
除了涨价，未来存储器市场还可以期待什么？(2023-11-24)
芯片同样采用美光的1β 技术，能源效率提高达24%，延迟降低高达16%。此外，美光计划2024年开始推出速度为4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型号，未来将推出 8000 MT/s 的型......
美光 MRDIMM创新技术打造最高性能、低延迟主存，为数据中心工作负载加速(2024-07-19)
处理器兼容。
美光副总裁暨计算产品事业群总经理 Praveen Vaidyanathan 表示：“美光最新的创新主存解决方案 MRDIMM 为下一代服务器平台提供了亟需的带宽和容量，并降低了延迟......
存储器大厂积极布局，DDR5与HBM受青睐(2023-11-20)
效率提高达24%，延迟降低高达16%。此外，美光计划2024年开始推出速度为4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型号，未来将推出 8000 MT/s 的型号。
另一......
MCU是否会从ADAS域控制器消失呢？(2023-07-10)
28/22nm，而AP的工艺更先进； 目前汽车功能安全MCU能够做到150°C的高工作温度；从这个角度，有一颗外置MCU似乎更加安全
成本
算力SoC集成MCU，真正能带来成本的降低吗？ 这里......
Rambus扩大面向数据中心和PC设备的DDR5内存接口芯片组合(2022-08-18)
串行接口
· 为最快的I3C总线速率提供低延迟
· 符合或超过所有JEDEC DDR5温度传感器的运行要求（JESD302-1.01）
供应情况和更多信息
Rambus SPD Hub和温度传感器目前已经上市。
......
美光 MRDIMM 创新技术打造最高性能、低延迟主存，为数据中心工作负载加速(2024-07-18 15:20)
器兼容。美光副总裁暨计算产品事业群总经理 Praveen Vaidyanathan 表示：“美光最新的创新主存解决方案 MRDIMM 为下一代服务器平台提供了亟需的带宽和容量，并降低了延迟，旨在扩展 AI......
美光 MRDIMM 创新技术打造最高性能、低延迟主存，为数据中心工作负载加速(2024-07-18)
一代服务器平台提供了亟需的带宽和容量，并降低了延迟，旨在扩展 AI 推理和高性能计算应用。MRDIMM 在提供与 RDIMM 相同的可靠性、可用性、适用性和接口的同时，显著降低了每项任务的能耗，为客......
CXL技术：全面升级数据中心架构(2024-04-09)
处理要求的提高给数据中心内存出了一道难题。服务器中的计算节点越来越以内存为中心。直连式内存和固态存储在延迟和成本方面存在巨大差距，这对服务器内存的层次结构提出了挑战。当处理器耗尽直连式内存空间时，它就会转到固态存储，这意味着它必须等待。而这种等待或延迟会......
CXL技术：全面升级数据中心架构(2024-04-09 14:24)
会转到固态存储，这意味着它必须等待。而这种等待或延迟会极大地影响计算性能。第二个问题是，主内存带宽的扩展速度与CPU核心数量的增加速度不匹配。在超过一定的核心数量后，所有 CPU都会出现带宽不足的情况，从而......
CXL技术：全面升级数据中心架构(2024-04-09)
会转到固态存储，这意味着它必须等待。而这种等待或延迟会极大地影响计算性能。第二个问题是，主内存带宽的扩展速度与CPU核心数量的增加速度不匹配。在超过一定的核心数量后，所有 CPU都会......
性能更上一层楼！朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测(2022-07-15)
戏性能也仅仅只是与低时序的DDR4 3600MHz相当。
考虑到12代酷睿和未来的13代酷睿处理器依旧支持DDR4内存，而高频的DDR4内存凭借极低的延迟，游戏性能可以轻松碾压DDR5，所以对于游戏玩家来说，近一......
读速高达14500MB/s！美光推出全球最快PCIe Gen 5 SSD(2024-02-25)
板模组提供速度高达6000MT/s的16GB容量，以更高的效能、更低的延迟和更大的带宽提高游戏胜率并降低效能瓶颈。此强大DDR5超频DRAM模组与最新的DDR5 Intel和AMD CPU兼容，每个模组都支援Intel......
美光率先为业界伙伴提供高速率、低延迟 128GB 大容量 RDIMM 内存(2023-11-23)
美光率先为业界伙伴提供高速率、低延迟 128GB 大容量 RDIMM 内存;
【导读】美光近日宣布领先业界推出基于 32Gb 单裸片的128GB DDR5 RDIMM 内存，具有......
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器，助力现代CPU优化应用工作负载(2022-08-03)
决方案可为每个内核提供更大的存储带宽和更高的存储容量，并使现代CPU能够优化应用工作负载，从而降低数据中心的整体总拥有成本。
低延迟SMC 2000 16x32G和SMC 2000 8x32G存储控制器的设计符合CXL 1.1和CXL 2.0规范......
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器，助力现代CPU优化应用工作负载(2022-08-03)
决方案可为每个内核提供更大的存储带宽和更高的存储容量，并使现代CPU能够优化应用工作负载，从而降低数据中心的整体总拥有成本。
低延迟SMC 2000 16x32G和SMC 2000 8x32G存储控制器的设计符合CXL 1.1和CXL 2.0规范......
美光量产全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封装产品(2020-10-21)
和低功耗DRAM 的多芯片封装产品。如今的智能手机需要存储和处理海量数据，这使基于LPDDR4的中端芯片组的内存带宽变得捉襟见肘，带来的后果是视频分辨率降低、出现影响体验的延迟，以及......
芝奇推出DDR5-6600 CL34 32GB (2x16GB) 极速低延迟超频内存(2022-04-23)
芝奇推出DDR5-6600 CL34 32GB (2x16GB) 极速低延迟超频内存;
2022年04月22日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际全新推出DDR5-6600......
芝奇推出DDR5-6800 CL32 2x16GB 与 DDR5-6400 CL32 2x32GB超频内存;
2022年09月22日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际全新推出极速低延迟......
Knowles推出最新SiSonic系列MEMS麦克风(2023-01-10)
地，Titan可提供与Falcon类似的信噪比性能，同时通过消耗比典型数字麦克风低60%的电流并将延迟降低至3μs来延长电池寿命，使其成为数字架构领域主动降噪（ANC）和始......
问题屡现，2023全年渗透率预估仅约13.4%
整体而言，DDR5导入率仍受客户端延长旧机种产品周期、延迟新机种导入的状况制约，TrendForce集邦咨询预估，今年Server DDR5......
芝奇推出DDR5-6400 CL32 32GB (2x16GB) 超低延迟极速内存套装(2022-01-28)
芝奇推出DDR5-6400 CL32 32GB (2x16GB) 超低延迟极速内存套装;
2022年01月27日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际全新推出DDR5-6400......
升压DC－DC稳压器转换为电流源进行电池充电(2023-03-13)
中所述，电流源误差随输入电压而增加。
在较高电压下，延迟会导致峰值电流超过电流限值。您可以通过选择电感值来最小化此错误，如下所示：（5）L (in µH) > 5.5 (VIN VBATT),以伏......
相关企业
;深圳贝思恩电子有限公司;;深圳贝思恩电子有限公司是延时线、延迟线、延时IC、延迟IC、变压器、电感器、滤波器等产品专业生产加工的公司，拥有完整、科学的质量管理体系。深圳
偏振控制器等。 4、 光延迟线系列：光延迟线手动型，光延迟线电动型，微型电控可调光延迟线。 5、 光纤光栅系列：均匀光纤光栅，啁啾光纤光栅，长周期光纤光栅等。 6、 特种光纤系列：ofs光纤
式偏振控制器，电动偏振控制器等。【光纤光栅,四川光纤光栅，批发光纤光栅，光纤光栅价格，哪里有光纤光栅出售，光纤光栅的作用】 4、 光延迟线系列：光延迟线手动型，光延迟线电动型，微型电控可调光延迟线。 5、 光纤
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棉、油棉、镜片专用保护膜、周转箱专用大胶袋以上材料可以冲压成条种形状降低成本的原因：●所有材料直接从日本、香港进口〈免去中间费用〉●我司采用进口日本小松司服冲床作业比普通的加工方式提高几倍产能，所以我们的价格相对就会降低
.渐明渐暗,上电自闪和on/off等功能的产品如: 背光用冷光片驱动ic dj3004b-:10 cm2单一冷光片驱动ic，有延迟功能，频率可调，适用1.5v。 dj3009 20 cm2中尺
慢闪,快闪.渐明渐暗,上电自闪和ON/OFF等功能的产品如:背光用冷光片驱动ICDJ3004B-:10cm2单一冷光片驱动IC，有延迟功能，频率可调，适用1.5V。DJ3009 20cm2中尺
单一冷光片驱动IC，有延迟功能，频率可调，适用1.5V。DJ300920cm2中尺寸冷光片驱动IC，有延迟功能，频率可调。DJ30301.5VEL背光驱动IC，有延迟
、ISO14001认证，产品通过了美国UL、加拿大CSA和欧盟RoSH、WEEE认证，为了确保产品的高频测试指标（如：特性阻抗、串音、衰减、驻波比、延迟、延迟差等）的可靠性，工厂还配备了HP网络分析仪、TDR
广泛应用于各种黑白和彩色电视机、收录机、微处理机、节能灯具、无线电通讯设备、测量和医疗仪器等电子设备电路中作滤波、振荡、延迟、陷波等用。注册商标为“天元牌”． 生产许可证号为： 一、固定电感器xk09-135-029：二、变压