资讯
半导体、集成电路、芯片有哪些区别?(2024-10-08)
半导体、集成电路、芯片有哪些区别?;在当今科技飞速发展的时代，我们常常听到关于半导体、集成电路和芯片的词汇。它们似乎是科技世界的魔法，推动着各行各业的创新和发展。那大家是否知道它们的区别......
三星救场？传三星电子拿下英特尔CPU代工订单(2019-11-29)
三星和英特尔都有14nm工艺，但是两者的14nm工艺有较大的区别，尤其是在晶体管密度上：英特尔的14nm工艺的晶体管密度为43.5MTr/mm²，而三星14nm工艺的晶体管密度则为32.5Mtr/mm²。
截至......
TechInsights公布了A16的透视图, 苹果A16芯片到底有多强 ？(2022-11-28)
是比较A16和A15的前提。总的来说，今年的苹果A16仿生芯片采用4nm工艺制造，拥有160亿个晶体管。该芯片有6个CPU核心，包括2个高性能核心和4个节能核心。与上一代相比，这有助于芯片的......
运放可以当比较器使用吗？(2024-06-07)
，在实际应用中如何区分？今天我来图文全面分析一下，夯实大家的基础，让工程师更上一层楼。
先看一下它们的内部区别图:
从内部图可以看出运算放大器和比较器的差别在于输出电路。运算放大器采用双晶体管......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
是我们对架构的设想，涉及六个方面：
l 微缩问题
l 堆叠挑战
l 面积缩小
l 创新连接
l 通孔阵列
l 工艺要求
微缩问题
DRAM单元电路由一个晶体管和......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
西门子S7-200 SMART系列PLC接线汇总整理(2023-09-19)
回路的电流方向不同所示，如果把两种信号接到一个M端，则M端有两种电流流向，这是不正确的。因此不能在同一个模块的DI输入端同时接NPN和PNP两种信号的设备。
2. DO分成晶体管和继电器两种类型，它们的区别......
全“芯”助力，7nm高算力智能座舱SoC的进阶之路(2023-03-02)
科技战略业务发展部总经理
以下为演讲内容整理：
汽车芯片有挑战也有机遇，难确实难，但机会也确实多。中国本土的汽车品牌、造车新势力和Tier1层出不穷，也为上游做软件和芯片的公司带来更多的机会和落地点。我今......
解析英特尔的系统级代工模式(2022-10-21)
尔代工服务（IFS）为客户做得更多，它提供英特尔称之为系统级代工的服务。具体而言，由以下四个部分组成：第一，晶圆制造。英特尔继续积极推进摩尔定律，向客户提供其制程技术，如RibbonFET晶体管和PowerVia供电......
西门子S7-200smart PLC不同类型CPU的区别(2024-02-03)
20、30、40或者60，为CPU性能参数等级。
1、SR和ST****的区别
表 1
ST可变为SR，加中间继电器即可，但是SR不能变为ST，因为继电器达不到晶体管的开关速度。
2、20、30、40......
RS485接口电路设计常见的几个关键要素(2024-10-21 20:54:06)
常态下485为高电平，此时数据就是高；当 RS485_TX发送0时，晶体管不导通，此时485收发芯片的发送使能为高，DI由于一直被下拉到GND，所以发出去的数据为0。这样就实现了485的自......
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？(2016-10-11)
中的电子就很容易产生隧穿效应，为芯片的制造带来巨大的挑战。
针对这一问题，寻找新的材料来替代硅制作7nm以下的晶体管则是一个有效的解决之法。
1nm制程晶体管还处于处于实验室阶段
碳纳米管和......
大突破：1nm晶体管在美国诞生！(2016-10-07)
年，整个业界就将开始向10nm制程发展。
不过放眼未来，摩尔定律开始有些失灵了，因为从芯片的制造来看，7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字，它们在物理形态上就会非常集中，以至......
节点将对 RibbonFET 架构进行改进，号称可以实现晶体管和芯片性能的又一次重大飞跃。
......
主宰半导体世界的摩尔定律这回真的走到终点了？(2017-08-17)
电路的组件数量每12个月增加一倍左右。此外，每个价格最低的芯片的晶体管数量每12个月翻一番。在1965年，这意味着50个晶体管的芯片成本最低；而摩尔当时预测，到1970年，将上升到每个芯片1000个元件，每个晶体管......
西门子S7-200 SMART 模拟量模块PLC接线图汇总(2023-12-27)
继电器两种类型，它们的区别是什么？
继电器的负载电流比晶体管的大，但是输出频率受到机械装置的影响不能太快，同时存在机械寿命的限制。晶体管的负载电流比继电器的小，但是输出频率快，可以用于高速脉冲输出，没有......
让单个设备包含1万亿个晶体管，英特尔会怎么做？(2022-03-28)
设计师在封装中（如戈登所说）“容纳更多晶体管”，从而远远超过单个芯片的尺寸限制。EMIB技术还支持在一个封装中使用来自不同工艺节点的芯片，允许设计师为特定IP选择最佳工艺节点。英特尔的Foveros技术提供了业界首创的有源逻辑芯片......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线(2024-09-12)
背面供电技术改变了芯片布线的逻辑。
传统上，计算机芯片的制造过程类似于制作“披萨”，自下而上，先制造晶体管，再构建线路层，同时用于互连和供电。然而，随着晶体管尺寸的不断缩小，线路......
芯片设计时，用到的efuse 和otp有什么区别？(2024-12-18)
过测量已知电阻器上的电压来检测电流，然后在电流超过设计限值时，通过场效应晶体管 (FET) 切断电流。eFuse具有热保险丝无法实现特性、灵活性和功能。eFuse在电路系统和芯片级的应用是不一样的，电路......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
现摩尔定律的延续：新的3D混合键合（hybrid bonding）封装技术，无缝集成芯粒；超薄2D材料，可在单个芯片上集成更多晶体管；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算。
英特尔组件研究团队所研发的新材料和工艺模糊了封装和芯片......
聊聊你知道的串口(2023-10-12)
，一片的RXD线连接到另一片的TXD线上，两片的GND线连接在一起。
** RS232串口**
RS232串口和TTL串口的区别在于，两者所使用的电平格式不一样。RS232的电平标准为+12V为逻......
摩尔定律“生死”之争背后：关乎未来半导体行业发展模式(2023-03-27)
年，时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的戈登·摩尔为《电子学》杂志写了一篇观察评论报告，在报告中摩尔提到，工程师可以不断缩小晶体管的体积，芯片中的晶体管和电阻器的数量每18个月左右会翻番，半导......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-05)
键合（hybrid bonding）封装技术，无缝集成芯粒；超薄2D材料，可在单个芯片上集成更多晶体管；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算。
英特尔组件研究团队所研发的新材料和工艺模糊了封装和芯片......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
和存储的新可能，以实现更高性能的计算。
英特尔组件研究团队所研发的新材料和工艺模糊了封装和芯片制造之间的界限。英特尔展示了将摩尔定律推进到在单个封装中集成一万亿个晶体管的关键步骤，包括......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
-N结
Russell Ohl发现了硅中的P-N结和光伏效应，从而促进了结晶体管和太阳能电池的发展。
图：在贝尔实验室的Russell Ohl......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品(2024-06-28 14:58)
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品(2024-06-28)
下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie......
Nexperia将在汉堡投资2亿美元(2024-06-28)
(SiC)和(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士......
芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了(2023-04-14)
芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了;虽然只有12年的历史，但finFET已经走到了尽头。从3nm开始，它们将被环栅 (GAA)取代，预计这将对芯片的设计方式产生重大影响。
如今，GAA主要......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
。
它还有三个引脚：
· Gate(G)
· Source(S)
· Drain(D)
MOS的工作原理类似于BJT晶体管，但有一个重要的区别：
对于BJT晶体管，电流......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
组最差数值代入式子②计算。 根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。
∴ Iomax≦203)
数字晶体管的型号说明
IO和IC的区别......
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度(2023-05-04)
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度;
研究人员拿着一块8英寸的二硫化钼薄膜的CMOS晶圆。右边是研究人员开发的熔炉，使用不损害晶片的低温工艺在晶片上“生长”一层二硫化钼。图片......
光刻机将成为历史！麻省理工华裔研究出 2D 晶体管，轻松突破 1nm 工艺！(2023-05-29)
光刻机将成为历史！麻省理工华裔研究出 2D 晶体管，轻松突破 1nm 工艺！;
众所周知，作为芯片生产过程中的最主要的设备之一，其重要性不言而喻。
先进......
1nm芯片采用比2nm芯片更先进的工艺，将会用到铋电极的物质(2023-01-28)
大约两年的时间，芯片内部的晶体管数量就会增加一倍，相当于性能翻倍增长。之前的28nm、14nm以及7nm芯片，都验证了摩尔定律，可以说这个规律是计算机和芯片领域的核心指导思想，时至......
英特尔芯片改良：坚称摩尔定律并未失效(2017-04-05)
尔联合创始人戈登•摩尔预言，芯片的晶体管密度至少每两年就会翻一番。此举的另一个目的是为自己不断加大投入的芯片代工业务吸引更多客户。
上周二，英特尔高层并未谈论该公司可能怎样支持下一波镜面笔记本电脑、自动......
芯片战争2.0：“失效”的摩尔定律(2017-06-01)
在1965年提出“摩尔定律”，预言半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。其核心是，芯片的性能将逐渐提升，成本将会逐渐降低。不过，在摩尔定律发展的50年来，在物理上生产出更小芯片的......
科普 | 芯片制造的6个关键步骤(2022-08-08)
世界上有不少公司生产用于半导体制造的光刻胶。
光刻
光刻在芯片制造过程中至关重要，因为它决定了芯片上的晶体管可以做到多小。在这个阶段，晶圆会被放入光刻机中，被暴露在深紫外光（DUV）下。很多......
突破工艺极限，美国开发出1nm制程技术与设备(2017-05-04)
业界就将开始向10nm制程发展。
不过放眼未来，摩尔定律开始有些失灵了，因为从芯片的制造来看，7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字，它们在物理形态上就会非常集中，以至于产生量子隧穿效应，为芯片......
用于调频收音机的有源天线放大器电路图(2024-04-30)
型晶体管 MFE201。该放大器将清楚地吸收所有远处的 FM 电台。该电路配置为连接在 VHF/UHF 晶体管 MFE201 周围的共发射极调谐 RF 前置放大器。还有一些其他型号可能也可以工作，例如......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横向拓扑结构限制了最终缩小范围。
图1：碳化硅金氧半场效晶体管设计示意图，图中显示了罗姆（第3代......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
基础知识
传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横向拓扑结构限制了最终缩小范围。
图1：碳化硅金氧半场效晶体管......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
解其所做的改进。
沟槽式金氧半场效晶体管基础知识
传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横......
特斯拉要削减碳化硅使用量，相关芯片制造商股价应声下跌(2023-03-03)
特斯拉要削减碳化硅使用量，相关芯片制造商股价应声下跌;3 月 3 日消息，美国电动汽车制造商在首次投资者日活动上表示，计划减少下一代电动汽车动力系统中晶体管的使用量，当地时间周四相关芯片......
英特尔 CEO：我把整个公司都押注在了 18A 制程上(2024-02-29)
则将在 2025 年推出。
18A 制程如此重要，部分原因在其引入了先进的“背面供电”技术，也被英特尔称为 PowerVia。简而言之，这项技术能够从芯片的背面而不是正面为晶体管供电。
Gelsinger......
英特尔在IEDM 2022上公布了最新的突破性研究，为未来芯片设计奠定了基础(2023-01-24)
帮助这家半导体巨头支持他们之前关于到2030年交付基于芯片的万亿晶体管处理器。
英特尔的新晶体管和封装技术研究主要集中在推进CPU的性能和效率，缩小传统单片处理器和基于芯片的新设计之间的距离。提交......
plc模拟量和数字量是什么意思 PLC模拟量接数字量会停机吗？(2024-07-19)
量值的是开关量，比如我们的一些按钮、接近开关等，按照开关频率有普通和高速之分。
模拟量和开关量分别在不同的模块上进行接线通常是不会接错的，再说接线方式也不一样的，这里我们简述下开关量和模拟量的区别......
英特尔代工业务与 Arm 宣布展开合作，涉及多代前沿系统芯片设计(2023-04-13)
)。此次合作将首先聚焦于移动系统级芯片的设计，未来有望扩展到汽车、物联网、数据中心、航空和政府应用领域。Arm® 的客户在设计下一代移动系统级芯片时将受益于出色的 Intel 18A 制程......
英特尔代工业务与Arm宣布展开合作，涉及多代前沿系统芯片设计(2023-04-14 09:45)
和政府应用领域。Arm®的客户在设计下一代移动系统级芯片时将受益于出色的Intel 18A制程工艺技术，该技术带来了全新突破性的晶体管技术，有效地降低了功耗并提高晶体管性能。与此同时，他们......
英特尔代工业务与Arm宣布展开合作，涉及多代前沿系统芯片设计(2023-04-14)
中心、航空和政府应用领域。Arm®的客户在设计下一代移动系统级芯片时将受益于出色的Intel 18A制程工艺技术，该技术带来了全新突破性的晶体管技术，有效地降低了功耗并提高晶体管性能。与此同时，他们......
Intel宣布全新芯片代工模式：开放四种神技(2022-10-21)
积极推进摩尔定律，向客户提供其制程技术，如RibbonFET晶体管和PowerVia供电技术等创新。Intel正在稳步实现在四年内推进五个制程节点的计划。第二，封装。Intel将为客户提供先进封装技术，如EMIB和......
相关企业
;2N;2P;Z;X;PO等500多个品种晶体管系列有3DD;2N;2SC;2SD;2SB;TIP;MJE;DK;BT;BU等2000多个型单双向可控硅芯片音箱配对管芯片节能灯;镇流器用开关晶体管芯片
力于提高产品品质和降低半导体分装成本。 我们为贴片或拾放设计制造吸嘴被设计用来搬运芯片，凭借自动加工技术，我们为晶体管，发光二级管和其他小芯片的贴片生产极其细小的高温吸嘴。吸嘴最小尺寸0.20x0.10mm(外直径x内直
;香港奥创物资有限公司;;我公司专门制造半导体元件，如二极管，晶体管和集成电路。希望与你建立业务关系。
. 通用逻辑IC（CMOS逻辑IC） e. 通用线性IC（运放和比较器,马达驱动IC,电源IC, etc） f. 光电半导体（LD,LED,光传感器,光耦合和光中继,etc） g. 晶体管（小信号双极晶体管和
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
平面线月生产能力25000片、5英寸生产线月生产能力30000片，主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片；4英寸
日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http
基整流二极管、快恢复二极管、高功率晶闸管和整流管及模块、射频小信号晶体管和稳压集成电路，公司28年坚持追求高品质和自主知识产权，拥有的isc和iscsemi两个品牌在世界40多个
;斯裕自动化有限公司;;斯裕自动化主要从事自动化产品销售，大量库存现货供应，IGBT、芯片、晶体管、继电器等西门子产品
;深圳市敢豪科技有限公司（业务二部）;;深圳市敢豪科技有限公司 业务一部:主营LED芯片. 业务二部:IC,晶体管,MOS管....如:功放IC,升压IC,驱动恒流IC...