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N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产......
速把负载与电源断接。 图 1:完整的 12V 汽车欠压、过压及电源反向保护电路 双路 N 沟道 MOSFET 负责在 VIN 上隔离正电压和负电压。在标准运作期间,LTC4365 为外部 MOSFET 的 栅极......
沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。   锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路......
2.7V至28V的宽电压输入范围,并能通过间歇式工作模式向外部MOSFET的栅极-源极电压提供稳定的电压,从而实现大电流的切换。 TCK421G的最大亮点是栅极源极之间设有保护电路,这也是实现大电流切换所必备的保护......
关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器、两个自举供电的高侧栅极驱动器、两个 VDD 供电的低侧栅极驱动器和过流保护电路(不使用电流检测电阻)组成。高侧和低侧的过流保护......
Transistor /金属氧化物半导体场效应晶体管) (*2) 正端保护:在电池的正极侧与负载之间插入MOSFET,发生异常时通过关闭MOSFET来切断通电路径,保护电路及设备Figure Example......
×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路MOSFET产品。应用-  家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备,包括智能手机、平板......
快速放电等功能。 SGM2538 应用案例 在工业系统及 12V 总线应用中,通常为了降低系统开启过程的涌入电流,希望总线输入端的保护电路在开启后,输出......
Diodes 公司推出可简化理想二极管仿真作业并提高反向放电保护电路效率的控制器 IC 产品;Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出一款用于保护......
Diodes 公司推出可简化理想二极管仿真作业并提高反向放电保护电路效率的控制器 IC 产品;Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出一款用于保护......
完全闭合并将电源连接到下游电子系统,栅极电压必须比电源电压高,并且差值需至少等于MOSFET阈值电压。因此,如使用N沟道MOSFET作为高端输入开关,将需要额外配置电路,例如电荷泵。有些保护电路......
电压必须比电源电压高,并且差值需至少等于MOSFET阈值电压。因此,如使用N沟道MOSFET作为高端输入开关,将需要额外配置电路,例如电荷泵。有些保护电路还集成了比较器和电荷泵来驱动高端N沟道MOSFET......
限制电流有诀窍,器件选好没烦恼!;在一些电源管理应用中,无论是要保护电源(例如,中间电路电压需要过载保护以便能够可靠地为其他系统部件提供电能),还是在故障情况下保护可能由于过流而造成损坏的负载,都需......
频操作有助于设计人员提高器件的功率密度,从而提高系统效率并节省成本。但增加的工作频率也给为这些 HEMT 设计短路和过流保护电路带来了挑战。 现有的保护电路及其缺点 GaN HEMT 的工作频率非常高,因此其保护电路......
有效,无法配合能够给电池充电的电路工作。电池充电器将产生电源,重新启用 MOSFET 并重新建立至反向电池的连接。图 2 展示了采用 NMOS 版本的一个实例,图中所示的电池处于故障状态。 图 2:具有一个电池充电器的负载侧保护电路......
同负载电流下的估算最大环境温度,考虑结温为 175°C。 表 5. 估算最大 TAMB 总结 极性反接保护电路是车辆中任何 ECU 的核心构建模块之一。本文讨论了几种极性反接保护技术,包括二极管、P 沟道 MOSFETN......
点的值越低,表示其可以在更小的异常电流下触发保护机制,切断电路保护电池,这更能满足小容量电池的保护需求。对小容量电池来说,若过流保护点设置过高,在异常情况下电流尚未达到保护点,电池......
引发危险的可能性并提高人们的生活质量。 智能插头的内部构造大致由电源转换、MCU控制、继电器、无线通信、外围保护电路等部分组成,其中无线通信,MCU控制的方案已经较为成熟,方案......
管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压......
栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压尖峰、电弧......
: - 内置N沟道MOSFET(8通道)和控制电路的单芯片IC (高边开关TPD2015FN具有内置电荷泵。) - 采用小型SSOP30封装,贴装面积相当于SSOP24封装的71%左右 - 内置保护功能(过热......
改进有利于缩小设计尺寸。 新产品的最高工作温度是110℃,高于现有产品[2]的85℃,支持工作温度更高的应用。此外,两款新产品还内置过流保护和过热保护电路,有助......
)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路......
在使用MOSFET的时候,首先要有合适的驱动,例如一个合适的门极电阻。同时为了防止场效应管的损坏,我们还要有各种保护措施,例如过流过温和过压的保护电路,来保证其长期可靠运行不致损坏。通常这些保护电路......
改进有利于缩小设计尺寸。 新产品的最高工作温度是110℃,高于现有产品[2]的85℃,支持工作温度更高的应用。此外,两款新产品还内置过流保护和过热保护电路,有助于提高设计的可靠性。  应用......
现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断。它由一个集成电荷泵和一个外部电容器组成,可提供强大的启动能力。当工作输入电压较低时,内部电荷泵就会提供MOSFET栅极电压。该栅极驱动器IC可管理浪涌电流并提供故障保护......
负载突降期间引起更高和持续时间更长的电压浪涌。浪涌抑制器的功率处理能力受限于保护电路的功率损耗。在线性浪涌抑制器中,功率处理能力由传输 MOSFET 的大小决定,而在开关浪涌抑制器中功率处理能力则取决于转换效率。与线......
计的优点是设计更简单,同时也可以兼容3.3V CAN收发器。外部电阻可以限制到更低的电流来降低总线空闲时的功耗。缺点就是MCU引脚内部的保护电路工作,吸收一定的电流。 4、通过MOSFET实现电平转换 由于......
的电流限制到很低来降低功耗。该设计的优点是设计更简单,同时也可以兼容3.3V CAN收发器。外部电阻可以限制到更低的电流来降低总线空闲时的功耗。缺点就是MCU引脚内部的保护电路工作,吸收......
都是由分立器件达成,既增加系统成本,同时也占据了较大的PCB空间。   而SmartFET产品把这些驱动和监测保护电路都集成到标准MOSFET的封装里面,因此一个SmartFET有两个主要部件组成:首先......
通过控制输出MOSFET的栅极电压来提高导通电阻(Ron),从而将电流限制在IOUT_CL之内。 如果输出电流持续上升,温度会随着损耗IOUT_CL2 ✖️Ron产生的热量而升高,但当温度达到预设的温度时,过热保护电路......
MOSFET的比较) 说起,一般最先想到的是MOSFET。 如果将MOSFET单独用作开关,按照电路的结构,当负载短路时,MOSFET本身也会发生故障。 IPD内置过电流和过热保护电路、吸收感性负载能量的电路......
架构通常要求在模块发生故障时能够断开该模块与主电源轨的连接。为实现这一功能,往往会采用MOSFET等高边断开开关,以防止负载短路影响电池。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出EiceDRIVER™ 1EDL8011,这款高边栅极驱动器能够在发生故障时保护电......
入电压范围; •        提供电荷泵用于N-MOSFET防反接保护电路; •        微控制器可SPI接口进行配置; •        控制H桥实现电机正反转; •        PWM输入......
信道功率MOSFET在工业和汽车驱动中有着广泛的应用,如电池、反极性保护、HS负载开关、DC-DC转换器、车载充电器和低压逆变器。而在典型半桥(HB)应用中,N通道MOSFET通常应用于功率级电路......
汽车电源线上的脉冲干扰,PMOS防反保护电路的缺点;汽车电源系统常在极为恶劣的环境下运行,数以百计的负载挂在汽车电池上,需要同时确定负载状态的汽车电池可能面临极大的挑战。当负......
)应用中,N沟道MOSFETs通常应用于功率级电路。然而,N沟道HS开关需要自举电路产生栅极电压,参考于HS MOSFET源极电压的浮动电压或导通HS MOSFET的隔离电源,如图3a)所示。因此......
栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压尖峰、电弧......
)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压尖峰、电弧......
系统的热插拔解决方案。 英飞凌科技股份公司推出XDP™ XDP710数字控制器来应对这些挑战,这是英飞凌智能热插拔控制器和保护电路(IC)系列的首款产品。这款......
洗衣机等等,那么变频的内部结构是什么样的呢? 变频设备的内部电路结构大致分为AC电源输入,PFC功率因素校正电路,DC-DC转换器,电机驱动电路,数字信号传输,模拟信号传输与接口保护电路等等。东芝......
所有具有电池切换功能的 Intersil RTC(例如 ISL12026 系列)均具有内部保护电路,以防止反向充电。图 1 显示了内部切换电路,说明了互补控制,该控制禁用一个电源输入,同时启用另一个电源输入。两个系列 MOSFET......
Zhang 双N沟道增强型MOSFET,WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻,RSS(ON)低至1mΩ,专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计,提供卓越的RSS......
产品质量和劳动生产率等。 1变频器组成原理 1.1变频器的基本结构 调速用变频器构成:主电路、控制电路保护电路 变频器主电路工作原理 变压变频装置结构框图 按照不同的控制方式,交-直-交变......
这种机械设计会增加额外成本,而且保护罩可能会破裂或发生故障。另外也可以在电路设计中加入机械操作开关,以便在电器与充电器断开后自动隔离触点。 但如果使用电子保护电路,就不需要可移动的零件,还可......
SMD封装,内部集成控制、驱动器、保护电路和750V功率MOSFET,可大幅减少元件数量。” LinkSwitch-TN2Q IC已通过AEC-Q100认证,支持降压、降压-升压......
SMD封装,内部集成控制、驱动器、保护电路和750V功率MOSFET,可大幅减少元件数量。” LinkSwitch-TN2Q IC已通过AEC-Q100认证,支持降压、降压-升压......
SMD封装,内部集成控制、驱动器、保护电路和750V功率MOSFET,可大幅减少元件数量。” LinkSwitch-TN2Q IC已通过AEC-Q100认证,支持降压、降压-升压......
℃,支持工作温度更高的应用。此外,两款新产品还内置过流保护和过热保护电路,有助于提高设计的可靠性。应用:- 工业可编程逻辑控制器- 数控机床- 变频器/伺服器- IO-Link控制设备特性:- 内置N......
并启动 BST 充电 表1: 保护动作 (1) 闭锁可通过移除/重新应用 VIN 或激活/取消激活 nSLEEP 来复位。 MOSFET 开关特性 为避免无意之中触发保护电路,需要了解由 MP653x......

相关企业

保护电路上依不同产品需求与封装尺寸
包括转子位子检测器,温度补偿基准,据齿波振荡器,三个集电极开路的高速驱动器,和三个高电流的图腾柱低速驱动器,适用于驱动功率MOSFET管。 此控制器还包含一些有保护特点的电路,如欠电压锁定,时间
;珠海迅立达电子科技有限公司;;锂电池,充电器,保护电路
能力强。公司和深圳大学合作研发的锂电池保护电路及农村电网漏电保护电 路获得电子信息产业部创新科技基金的资金援助。 公司电路品种多,供货及时,价格公道,服务优良,是你的良好合作伙伴。
、电感、变压器、热敏元件、接头插座等产品的代理及经销。 我公司自主研发的6~10节串联镍氢电池组充放电保护电路和两节串联锂电池组充放电保护电路,具有很高的安全性和可靠性,功能强大,价格合理。适用
;深圳市福田区金能王电子经营部;;公司现对国内外空白地区招商   本公司主要从事手机电池研发、生产、销售于一体的高科技实业公司。以优化产品结构、保护电路防水、防震、抗氧化、结构稳固美观;内置智能保护电路
家电等产品的电池中。 2.2~4节锂电保护板。每节电池过放保护电压为2.5~3.0V,过充保护电压4.2~4.35V,在充电管理电路控制下,可对电池进行涓流预充、恒流及恒压充电。 3.智能快速充电器。自动
;深圳市铭森电子有限公司;;深圳市铭森电子有限公司是一家集成电路研究开发、系统集成于一体的科、贸综合性企业,主要从事半导体过压保护电路与LED产品的设计,生产与销售。 公司
为仪器仪表、通信业、船舶工业、自动化控制军用科研等提供全方位的服务并有良好的商业信誉,具有完善的管理体系和强大的配套能力.同时本公司代理国产手机锂电池的保护电路(TCMC03P02)及LED的驱动电路
用于家电:马达调速,安全装置,备用电源,安全开关,调光灯,电力控制等方面。 工用用于:程序控制开关,气体点燃系统开关等,通讯用于:保护电路,线路末端保护电路 汽车用于:点火器 防盗报报警器,数据