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提供一个10V栅极-源极电压，完全导通n沟道MOSFET。当输入电压超过用户设置的过压门限时，迅速拉低MOSFET的栅极，将负载与输入断开。在某些应用中，不希望将负载和输出断开。在这些情况下，保护电路......
极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产......
速把负载与电源断接。 图 1：完整的 12V 汽车欠压、过压及电源反向保护电路 双路 N 沟道 MOSFET 负责在 VIN 上隔离正电压和负电压。在标准运作期间，LTC4365 为外部 MOSFET 的 栅极......
沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。   锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路......
2.7V至28V的宽电压输入范围，并能通过间歇式工作模式向外部MOSFET的栅极-源极电压提供稳定的电压，从而实现大电流的切换。 TCK421G的最大亮点是栅极源极之间设有保护电路，这也是实现大电流切换所必备的保护......
关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器、两个自举供电的高侧栅极驱动器、两个 VDD 供电的低侧栅极驱动器和过流保护电路（不使用电流检测电阻）组成。高侧和低侧的过流保护......
Transistor /金属氧化物半导体场效应晶体管） (*2) 正端保护：在电池的正极侧与负载之间插入MOSFET，发生异常时通过关闭MOSFET来切断通电路径，保护电路及设备Figure Example......
×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。应用-  家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板......
MAX16127数据手册和产品信息;MAX16126/MAX16127抛负载/反向电压保护电路能够在出现极端输入电压条件下有效保护电源，极端输入电压包括过压、反向电压以及瞬态高压脉冲。极端......
提供极佳的线路和负载瞬态响应的同时保持恒定的电感纹波电流。该器件以250kHz的开关频率驱动两个同步N通道MOSFET。工作电流电平可通过外部电流检测电阻进行用户编程。ADP3153内部集成LDO控制器。 ADP3152/3还具有过电压保护电路......
开关和 MOSFET 保护电路也可以放置在升压转换器输出和负载之间，如图所示的熔断器保护电路。 这里还是建议使用上面的其他办法，因为带保险丝的设计比较麻烦。如果发生短路，保险......
MAX6399数据手册和产品信息;MAX6399是小尺寸、高压/过压保护电路。这些器件监视DC-DC输出电压，在过压情况下能够迅速断开电源与DC-DC负载的连接。当DC-DC输入......
LT8415数据手册和产品信息;LT®8415 是一款超低功率升压型转换器，具有两个集成互补型 MOSFET 半桥式 (N 沟道和 P 沟道) 集成电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。每个......
-2会在超时延迟后自动重启。 DC1354B包含一个热插拔控制器、功率MOSFET、电流检测电阻、使能电路、输入电压箝位、栅极保护电路、用于反馈信号的电阻输出分压器和三个LED以指示输入和输出电压存在以及电源良好条件。......
快速放电等功能。 SGM2538 应用案例 在工业系统及 12V 总线应用中，通常为了降低系统开启过程的涌入电流，希望总线输入端的保护电路在开启后，输出......
Diodes 公司推出可简化理想二极管仿真作业并提高反向放电保护电路效率的控制器 IC 产品;Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出一款用于保护......
Diodes 公司推出可简化理想二极管仿真作业并提高反向放电保护电路效率的控制器 IC 产品;Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出一款用于保护......
完全闭合并将电源连接到下游电子系统，栅极电压必须比电源电压高，并且差值需至少等于MOSFET阈值电压。因此，如使用N沟道MOSFET作为高端输入开关，将需要额外配置电路，例如电荷泵。有些保护电路......
电压必须比电源电压高，并且差值需至少等于MOSFET阈值电压。因此，如使用N沟道MOSFET作为高端输入开关，将需要额外配置电路，例如电荷泵。有些保护电路还集成了比较器和电荷泵来驱动高端N沟道MOSFET......
路状态下电流折返将限制 MOSFET 的损耗。输出过电压保护电路锁定底部 MOSFET，直到 VOUT 恢复正常状态为止。FCB 模式引脚可以选择突发模式、恒频模式和连续电感电流模式运行或调节一个次级线圈。 应用......
应用的 5V/500mA。 一个过压保护电路利用一个外部N沟道 MOSFET 和一个电阻器来保护 LTC4160 / LTC4160-1 免遭 USB / 墙上......
限制电流有诀窍，器件选好没烦恼！;在一些电源管理应用中，无论是要保护电源（例如，中间电路电压需要过载保护以便能够可靠地为其他系统部件提供电能），还是在故障情况下保护可能由于过流而造成损坏的负载，都需......
频操作有助于设计人员提高器件的功率密度，从而提高系统效率并节省成本。但增加的工作频率也给为这些 HEMT 设计短路和过流保护电路带来了挑战。 现有的保护电路及其缺点 GaN HEMT 的工作频率非常高，因此其保护电路......
同负载电流下的估算最大环境温度，考虑结温为 175°C。 表 5. 估算最大 TAMB 总结 极性反接保护电路是车辆中任何 ECU 的核心构建模块之一。本文讨论了几种极性反接保护技术，包括二极管、P 沟道 MOSFET 和 N......
有效，无法配合能够给电池充电的电路工作。电池充电器将产生电源，重新启用 MOSFET 并重新建立至反向电池的连接。图 2 展示了采用 NMOS 版本的一个实例，图中所示的电池处于故障状态。 图 2：具有一个电池充电器的负载侧保护电路......
流限制，以便在波纹干扰和功耗指标间取得平衡。内部保护电路在发生故障时保护内部开关和后续元件。 其他的特性还包括低静态电流和省电的True Shutdown™模式。MAX8570/MAX8571......
，每一个控制器输出都在0.5V至3.3V之间可调，V DD = 5V时，调节范围是0.5V至1.8V。每路输出可独立开启，并在输出达到设置电压的94%时产生POK信号。每个输出具有保护电路，当电......
点的值越低，表示其可以在更小的异常电流下触发保护机制，切断电路保护电池，这更能满足小容量电池的保护需求。对小容量电池来说，若过流保护点设置过高，在异常情况下电流尚未达到保护点，电池......
引发危险的可能性并提高人们的生活质量。 智能插头的内部构造大致由电源转换、MCU控制、继电器、无线通信、外围保护电路等部分组成，其中无线通信，MCU控制的方案已经较为成熟，方案......
管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压......
栅双极型晶体管（IGBT）、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压尖峰、电弧......
： - 内置N沟道MOSFET（8通道）和控制电路的单芯片IC （高边开关TPD2015FN具有内置电荷泵。） - 采用小型SSOP30封装，贴装面积相当于SSOP24封装的71%左右 - 内置保护功能（过热......
改进有利于缩小设计尺寸。 新产品的最高工作温度是110℃，高于现有产品[2]的85℃，支持工作温度更高的应用。此外，两款新产品还内置过流保护和过热保护电路，有助......
检测到的电压大于参考电压，比较器将在输出端产生负电源电压（负电源跨接地连接，该电路为 0V）。该电压足以打开或关闭 MOSFET。 3、其他过流保护电路 例如......
）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路......
，过充过放电的保护。 该电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01，充、放电控制MOSFET1（内含两只N沟道MOSFET）等部分组成，单体锂电池接在B......
在使用MOSFET的时候，首先要有合适的驱动，例如一个合适的门极电阻。同时为了防止场效应管的损坏，我们还要有各种保护措施，例如过流过温和过压的保护电路，来保证其长期可靠运行不致损坏。通常这些保护电路......
现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断。它由一个集成电荷泵和一个外部电容器组成，可提供强大的启动能力。当工作输入电压较低时，内部电荷泵就会提供MOSFET栅极电压。该栅极驱动器IC可管理浪涌电流并提供故障保护......
改进有利于缩小设计尺寸。 新产品的最高工作温度是110℃，高于现有产品[2]的85℃，支持工作温度更高的应用。此外，两款新产品还内置过流保护和过热保护电路，有助于提高设计的可靠性。  应用......
负载突降期间引起更高和持续时间更长的电压浪涌。浪涌抑制器的功率处理能力受限于保护电路的功率损耗。在线性浪涌抑制器中，功率处理能力由传输 MOSFET 的大小决定，而在开关浪涌抑制器中功率处理能力则取决于转换效率。与线......
计的优点是设计更简单，同时也可以兼容3.3V CAN收发器。外部电阻可以限制到更低的电流来降低总线空闲时的功耗。缺点就是MCU引脚内部的保护电路工作，吸收一定的电流。 4、通过MOSFET实现电平转换 由于......
的电流限制到很低来降低功耗。该设计的优点是设计更简单，同时也可以兼容3.3V CAN收发器。外部电阻可以限制到更低的电流来降低总线空闲时的功耗。缺点就是MCU引脚内部的保护电路工作，吸收......
都是由分立器件达成，既增加系统成本，同时也占据了较大的PCB空间。   而SmartFET产品把这些驱动和监测保护电路都集成到标准MOSFET的封装里面，因此一个SmartFET有两个主要部件组成：首先......
准输出可直接与反相输入端或同相输入端连接，以选择不同的比较器输出逻辑。 MAX16013和MAX16014过压保护电路可驱动两个p沟道MOSFET，以避免电池反接和过压状态造成危害。其中一个MOSFET (P1)省去......
通过控制输出MOSFET的栅极电压来提高导通电阻（Ron），从而将电流限制在IOUT_CL之内。 如果输出电流持续上升，温度会随着损耗IOUT_CL2 ✖️Ron产生的热量而升高，但当温度达到预设的温度时，过热保护电路......
MOSFET的比较） 说起，一般最先想到的是MOSFET。 如果将MOSFET单独用作开关，按照电路的结构，当负载短路时，MOSFET本身也会发生故障。 IPD内置过电流和过热保护电路、吸收感性负载能量的电路......
架构通常要求在模块发生故障时能够断开该模块与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高边断开开关，以防止负载短路影响电池。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™ 1EDL8011，这款高边栅极驱动器能够在发生故障时保护电......
作为电池反向保护 1、N 沟道 MOSFET 反向电池保护基本连接 下面是一个安装在电路中的 N 沟道 MOSFET，用作电池反向保护。 NMOS......
信道功率MOSFET在工业和汽车驱动中有着广泛的应用，如电池、反极性保护、HS负载开关、DC-DC转换器、车载充电器和低压逆变器。而在典型半桥（HB）应用中，N通道MOSFET通常应用于功率级电路......
入电压范围； •        提供电荷泵用于N-MOSFET防反接保护电路； •        微控制器可SPI接口进行配置； •        控制H桥实现电机正反转； •        PWM输入......

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