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双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新;IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction......
板上,背面的导电集电极(Collector)则通过绝缘导热膏涂层贴在散热片上,再用螺丝将整个IGBT功率板固定在散热器上。这种安装方式的主要失效模式是经过长期使用,绝缘导热层龟裂导致的IGBT短路,以及......
TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率芯片的技术特点是芯片缩小了约30%。一般来说,越小越好,但对一个相同电流等级的模块,更小的芯片意味着从相同的芯片面积中流过更多的电流。这导致了从芯片结到散热......
它们将频繁地开关,产生大量热量。今天面临的热挑战是IGBT散热量已从三十年前的1.2 kW增加到如今的12.5 kW,增加了十倍多,而且预计还会继续增加。 有两个因素有助于IGBT冷却,一是IGBT的表......
方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单概括一下,IGBT可以说是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT的结合体(双极结型晶体管)。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管(高输......
器等 电机控制器壳体内有水道,壳体外有进、出水管接头。散热器下方的出水管连接水泵,水泵将冷却液送入电机控制器,冷却IGBT元件,然后流入电机,再流回散热器上方的回水管 上层元器件 下层元器件 二......
高压插接器、UVW插接器等。 电机控制器壳体内有水道,壳体外有进、出水管接头。散热器下方的出水管连接水泵,水泵将冷却液送入电机控制器,冷却IGBT元件,然后流入电机,再流回散热......
:ASPM27内部电路框图 3.功率密度 ASPM相比分立IGBT方案极大程度的降低了线路电感,无需考虑分立器件间的电气安全距离;引脚与散热面间高达2500V的绝缘,无需像IGBT那样......
问题?散热系统的结构合理性和导热材料的选择尤为重要。下面,跟着东超新材料小编一起了解下,导热材料在电池热管理系统中如何发挥作用。 汽车控制器内部的关键元件是IGBT,自身发热量较大,而且......
比高 ●   大电流IGBT,采用SMD PLUS,适合在DCB上进行回流焊,DCB焊接到水冷散热器上 ●   对针......
际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块,其功率更大、散热能力更强,在新能源汽车领域发挥着极为重要的功用和影响。  01       什么是“三电系统”和......
v2 旨在提供封装紧凑、功耗更低且可靠性更高的模块。为此,它采用了新型栅极驱动高压集成电路 (HVIC)、基于先进硅技术的新型绝缘栅双极晶体管 (IGBT),以及......
极大程度的降低了线路电感,无需考虑分立器件间的电气安全距离;引脚与散热面间高达2500V的绝缘,无需像IGBT那样必须额外增加绝缘垫片。且安装方便,可靠性高。 图7:ASPM方案对比分立IGBT方案......
产纯碳化硅产品。 图1 主推压接式封装IEGT器件 20世纪90年代末,东芝基于注入增强的技术注册了专用名称IEGT(栅极注入增强型晶体管),可以把它理解为东芝特制的IGBT。东芝的IEGT......
靠性是决定整个装置安全运行的最重要因素。由于IGBT采取了叠层技术,该技术不但提高了封装密度,同时也缩短了芯片之间导线的互连长度,从而提高了器件的运行速率。传统Si基封装存在寄生参数过高,散热效率差的问题,这主要是由于传统封装采用了引线键合和单边散热......
更长的续航里程和更低的电力成本。• RC-IGBT(Si)采用了一种新的结构,将IGBT和续流二极管(FWD)结合在一个芯片上,用于更小的模块,提高了散热性能,有助于实现更小的xEV逆变器。具有各种J3-T-PM组合......
了系统的可靠性。铝包铜线的导电性能和导热性能均比铝线要好,增加了键合引线的可靠性,提高了IGBT功率模块的使用寿命。 金线键合 金线键合技术主要应用在集成度较高的IC芯片封装中,金线的热导率较高,散热......
损耗高可能由体二极管的恢复电流带来。测试结果显示碳化硅M0SFET在开关损耗上的性能优于硅IGBT的性能。 02 系统性能对比 虽然两种器件损耗特性对比显示出碳化硅M0SFET在开关损耗上小于硅IGBT,但是器件在实际应用上需要考虑散热......
-IGBT(Si)采用了一种新的结构,将IGBT和续流二极管(FWD)结合在一个芯片上,用于更小的模块,提高了散热性能,有助于实现更小的xEV逆变器。 具有各种J3-T-PM组合......
实物长啥样? IGBT模块的标准封装形式是一个扁平的类长方体,下图为HP1模块的正上方视角,最外面白色的都是塑料外壳,底部是导热散热的金属底板(一般是铜材料)。可以看到模块外面还有非常多的端子和引脚,各自......
我们展开来具体看看IGBT模块的结构。 4、IGBT模块实物长啥样? IGBT模块的标准封装形式是一个扁平的类长方体,下图为HP1模块的正上方视角,最外面白色的都是塑料外壳,底部是导热散热的金属底板(一般是铜材料)。 可以......
)。我们为N-FET选择 50 ns开/关,为IGBT选择200 ns。 N-FET结温:对于表面贴装封装(无散热器)的(T j) 由 T j = P DISS x R θJA + Ambient 计算......
/1000。1997年富士电机研制成功1kA/2.5kV平板型IGBT,由于集电、发射结采用了与GTO类似的平板压接结构,采用更高效的芯片两端散热方式。特别有意义的是,避免了大电流IGBT模块......
IGBT芯片级仿真的准确度) 2) 试验需满足高精度:进行多轮次试验试验仿真闭环,散热器偏差±3℃ 3) 复杂工况仿真:额定、过载典型工况仿真、堵转特殊工况仿真、周期性负载、非线......
在电驱系统中的作用,下面我们展开来具体看看IGBT模块的结构。 4、IGBT模块实物长啥样? IGBT模块的标准封装形式是一个扁平的类长方体,下图为HP1模块的正上方视角,最外面白色的都是塑料外壳,底部是导热散热......
微半导体作为行业内的佼佼者,隆重推出 Mini Z3 封装的车用 IGBT 模块,采用新一代的750V 新技术车规级芯片,进一步提升车用IGBT模块的性能。一、产品介绍中恒微Mini Z3 封装功率模块优先推出750V-650A......
我们展开来具体看看IGBT模块的结构。 1、IGBT模块实物长啥样? IGBT模块的标准封装形式是一个扁平的类长方体,下图为HP1模块的正上方视角,最外面白色的都是塑料外壳,底部是导热散热的金属底板(一般是铜材料)。可以......
功率因子校正 (PFC) 输入整流器 为了在不同的马达驱动设计部分将 IGBT 维持在它的 SOA 额定值以下,必须移除晶体管封装的热能。Bourns BID IGBT 系列采用更好的散热 TO-247 功率......
芯能发布DIPS26-DBC系列智能功率模块; 【导读】DIPS26智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和IGBT芯片,优化内部布局与引脚分布,是包括空调压缩机、变频洗衣机、变频......
栅双极型晶体管IGBT等)。此外,随着半导体技术的不断发展,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料也逐渐被应用于功率半导体器件中,这些新材料具有更高的击穿电场、更高......
人工智能(AI)算法引入检测系统,可对不合格产品进行自动识别及分拣。 据济南中科核技术研究院介绍,这一重大成果实现了IGBT模块的全自动在线无损检测,数据实时反馈存储,有效解决了双层焊料叠加及散热柱导致X......
SiC的导热率比硅高出近3倍,因此组件可以更快地散热。 由于SiC器件,通态电阻和开关损耗也显著降低。这一点意义重大,因为碳化硅比传统硅更有效地散热,随着硅基器件尺寸越来越小,从电......
中的损耗减半,并提供通常2%的额外能量和运行时间。对于类似的性能,SiC MOSFET的单位成本通常高于IGBT。但在系统层面上,硬件成本会大大降低,因为更高的开关频率允许使用更小、更便宜的磁性元件和散热......
IGBT/SiC芯片产生的损耗在1到5kW之间,所以需要不同的冷却方式。因此,最佳冷却方式与总散热量和允许温升有直接关系。 能够以典型热通量Q(所消除的热量P(W)除以表面积A(dm²)得到......
英飞凌推出带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块; 【导读】集成了电机控制器、三相栅驱动器600V/2A和600V/4A IPM, 在没有散热器情况可以驱动50W/70W......
的做法是通过定子的长度来实现不同的功率。 逆变器也是电机电控里面的成本大头,主要是里面的IGBT或者碳化硅芯片以及散热处理价值高。IGBT或者碳化硅芯片在高压下的高频开关散热......
直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上。 IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块;随着......
的相对IGBT 7开关损耗。 比较1200V 600A TRENCHSTOP™ IGBT 7与前一代IGBT 4的热和电气性 从本文的第一部分--以及现在的第二部分--可以看出,优化模块布局对散热......
电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品,将多个 IGBT 芯片集成封装在一起形成 IGBT 模块,其功率更大、散热能力更强,在新......
际上公认的电子革命中最具代表性的产品,将多个 IGBT 芯片集成封装在一起形成 IGBT 模块,其功率更大、散热能力更强,在新能源汽车领域发挥着极为重要的功用和影响。 为突破封锁,实现IGBT核心......
低的负载比时尤为显著。 在低负载时,SiC器件的能效比硅IGBT高达3%;在整个负载范围内,总能效高至少 1%。尽管1%看起来似乎不高,但对于这个功率等级,1%代表了很高的功耗、耗散功率和散热量。工程......
外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证,可直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。 器件规格表: 新型IGBT功率模块现可提供样品并已实现量产,供货周期为15周。 ......
安森美推出最新的第 7 代1200V QDual3 IGBT 功率模块; 【导读】智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi), 最新发布第 7 代 1200V QDual3......
-100kHz)来维持所需的纹波电流。然而,对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)无法满足这些需求,如果是380V系统,硅耐压又不够,这就为宽禁带器件开创了新的机会。本文......
有竞争器件容量的两倍。高效的双面散热确保领先市场的热性能,该模块中没有任何绑定线,使其额定寿命加倍。NVG800A75L4DSC是符合AQG-324认证的模块,含嵌入式智能IGBT,对集......
被广泛应用于高功率、高频率的电力电子设备中。IGBT模块通常由多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路、散热器、连接器等组成。通过内部的绝缘隔离结构,IGBT芯片与外界隔离,以防止外界的干扰和电磁干扰。同时,模块......
IGBT/SiC模块门极驱动器 SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块,例如Mitsubishi LV100......
维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。 ......
栅双极型晶体管)是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块,其功率更大、散热能力更强,在新能源汽车领域发挥着极为重要的功用和影响。 什么是“三电系统”和“电驱......
为了限制太阳能设备在屋顶上的重量。 图 1.典型的 EV 动力总成,其中显示了逆变器 半导体损耗 决定逆变器效率的主要因素之一是所使用的半导体器件(IGBT / MOSFET)。这些......

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;武汉格莱德自动化设备;;IGBT 传感器 散热风扇 变压器 电感
;联众工业模块商行;;IGBT模块,变频器,各种进口国产模块,晶闸管,可控硅,整流管,散热器,固态继电器,硅桥,硅堆,电阻,低频大功率型3DD4-12全系列,二极管,三极管,IGBT,场效应管等多种商品
;武汉穗丰源电子科技有限公司;;武汉穗丰源电子科技公司专供建准,台达,ADDA,EBM散热风扇,英飞凌IGBT,瑞士莱姆传感器。台湾建准电机股份公司(SUNON)成立于1980年10月,为全球高品质散热
器的制造企业,产品系列齐全,主要有铝型材散热器、板材散热器、插片散热器、IGBT散热器、水冷散热器、组合散热器、高密齿散热器等。公司厂区占地面积30000多平方米,员工300余人,年加
器的制造企业,产品系列齐全,主营铝型材散热器、板材散热器、插片散热器、IGBT散热器、水冷散热器、组合散热器、高密齿散热器及CNC加工等。公司厂区占地面积30000多平方米,员工300余人
;诺博金(北京)科技发展有限公司;;诺博金(北京)科技发展有限公司主要从事分销一系列优质 原装进口电子组件,如半导体、电流电压传感器、散热器、熔断器、IGBT驱动模块、电容器及母排。我们
;周羽平;;永 鹏 电 子 永鹏电子在汕头潮阳2003年成立。本着“顾客至上,锐意进取”的经营理念。现今发展成为多功能责任制管理。现主营拆机翻新可控硅模块;整流模块;固态继电器;散热风扇;快恢
;温州瑞健电气有限责任公司;;富士电机作为IGBT硅片生产领先厂家,最早将IGBT模块引入中国市场。经过几十年的不断发展,半导体器件已成为国内UPS、变频器、电镀电源领域获得了广泛的应用,已成
;深圳市福田区创达盛高科电子商行;;灿达盛电子拥有丰富的元器件经验专业致力于功率器件的开拓与发展.主要产品有:IR公司场效应管、IGBT、快速恢复MUR系列、肖特基MBR系列,高频微波管,二极
产品为富士电机二极管、叁极管、场效应管、电源管理IC、富士IGBT模块及富士IPM、富士PIM、富士IGBT驱动、功率模块等。 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国代理商 富士IGBT